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Trasmissione di tensione in una linea

La tensione in ingresso alla linea si ottiene attraverso un partitore di tensione:

V0(t) = h(t)AR + ZG

La tensione in un generico punto della linea di trasmissione sarà:

-V0(t) = h(t - Tx)BpR + ZG

Il valore massimo applicato nei diversi punti sarà inferiore rispetto al valore massimo fornito dal generatore, specialmente in un generico punto della linea dove è intervenuto anche un certo fattore di attenuazione, come mostrato in Figura 4.6.

Si può notare inoltre come in funzione dei valori dell'impedenza serie del generatore rispetto all'impedenza caratteristica, si ottengono degli andamenti differenti, mostrati in Figura 4.7.

Dal punto di vista pratico, quando si connettono sorgenti e carichi attraverso una linea di trasmissione, con la propria impedenza Z0, dobbiamo cercare di adattare con delle terminazioni, i generatori e carichi alla nostra linea.

Partendo dalle equazioni dei telegrafisti (4.11) possiamo...

vedere la tensione e35
Figura 4.7
Figura 4.7: Relazione tra eR e ZG
Figura 4.8
Figura 4.8: la corrente lungo una linea di trasmissione come costituite da una coppia di onde che viaggiano in direzioni opposte, e per una linea di trasmissione avente impedenza caratteristica che termina con un carico, si può definire un coefficiente di riflessione definito come rapporto fra l'ampiezza dell'onda riflessa e l'ampiezza dell'onda incidente: Γ(x) = γx / γx
Definito il coefficiente di riflessione, possiamo riscrivere le equazioni dei telegra-fisti come:
  • V(x) = A(e-γx + Γeγx) / Z0
  • I(x) = (e-γx - Γeγx) / Z0
L'impedenza d'ingresso di una linea di trasmissione in unadata posizione sarà x, perciò data da: γx - γxV(x) e + Γe0 (4.22)Z(x) = ZIN0 - γx + γx-I(x) e Γe036Ponendo adesso troviamo l'impedenza all'ascissa che coincide x = 0 x = 0, proprio con l'impedenza di carico, ovvero . Allora si ha:Z(0) = ZINL1 + Γ0 (4.23)Z = ZL0 -1 Γ0da cui, il coefficiente di riflessione al carico: -Z ZL0 (4.24)Γ = Γ =0 L Z + ZL0La condizione di adattamento in potenza si può facilmente determinare assumendo il coefficiente di riflessione al carico nullo, ovvero, quando .Z = Z0 L37Capitolo 5Collegamenti su PCB:Microstrip e Stripline5.1 MiscrostrisciaÈ una linea di trasmissione realizzata in tecnologia planare, è molto semplice da realizzare ed economica. Risulta vantaggiosa anche perché è possibile cambiare le caratteristiche elettriche della microstriscia, correggendo la larghezza della metallizzazione. Per

queste caratteristiche è spesso la tecnologia prefe-Writa.(Figura 5.1)Tutta la parte inferiore del substrato è ricoperta da un piano di massa di spes-sore infinitesimo, mentre la superficie superiore è caratterizzata dalla presenza di una striscia metallica di spessore larghezza che può assumere formet, Wdiverse. La microstriscia è costituita da un substrato dielettrico di spessore h,lunghezza permettività relativa r fattore di dissipazione tanδ.L, εrLa caratteristica principale di questa linea è dovuta a questa metallizzazione presente fra due materiale con costante dielettrica diversa: dielettrico e aria.Il campo elettrico che viene generato perciò sarà condizionato da questi 2 die-lettrici, e perciò le linee di campo non rimarranno contenuto all’interno del conduttore superiore ma si propagheranno anche in aria, come mostrato in Figura 5.2.Avevamo visto che, nel caso di linea senza perdite, la

costante di propagazione

Figura 5.1: Microstriscia

Figura 5.2: Microstriscia

di un segnale poteva essere scritta come : (5.1)

p ′ ′ ′ ′γ = (R + jωL )(G + jωC ) = α + jβ√

dove da cui .′ ′ ′ ′−→R = G α = 0 β = ω L C

Adesso per valutare gli effetti induttivi, dobbiamo considerare la microstriscia

come una struttura omogenea dal punto di vista della permeabilità magnetica

e si può quindi supporre lo stesso valore di induttanza per unità di lunghezza. In questo modo:

′ ′L = L0 s s√ ′ ′C ω C (5.2)

0′′ ′ ′L C = ω L C =β = ω 0 ′ ′C c C0 0

dove è la capacità per unità di lunghezza nel dielettrico, è la capacità per

′ ′C C 011unità di lunghezza in aria e è la velocità della luce nel

√c = = √ ε µC

L0 è vuoto. Calcolando anche l'impedenza caratteristica: Z0 = √(L/C). Quindi ricapitolando, sia Z0 che ε dipendono sia da C che da L. Portarci dietro questa doppia dipendenza non ci piace troppo, perciò possiamo definire una costante dielettrica relativa efficace definita come: εeff = ε0 * ε. Ed ha lo scopo di immaginare la struttura come se i conduttori fossero immersi in un mezzo omogeneo. Il suo valore è un valore compreso tra 1 < ε < εeff. Possiamo quindi scrivere l'impedenza efficace come: Z = √(L/(C * εeff)). Caratteristiche e geometria: è interessante capire da cosa dipende quest'impedenza caratteristica, e vedremo che questa dipende dall'altezza della metallizzazione rispetto al piano di massa (e quindi dallo spessore del substrato), masoprattutta dalla larghezza39
Figura 5.3: Andamenti di al variare di eZ W ε0 r
Figura 5.3: Andamenti di al variare di eZ W ε0 r. L’andamento varia anche rispetto alla costante dielettrica . I grafici sonoW ε rriportati in Figura 5.3.
E’ interessante anche capire il tempo di propagazione per unità di lunghezza,che nel nostro caso sarà pari a:√ √ω (5.6)′ ′T = L C = β/ω β = εp ef fc√ ε ef f (5.7)T =p c 5.1.1 Sensitivity E’ un fattore importante per stimare la variazione di un parametro rispetto ad unaltro. Se definiamo la grandezza di cui vogliamo stimare la variazione relativapindotta dalla variazione relativa della variabile otteniamo che la sensitivityv,vale: ∂p/p v ∂p (5.8)pS = =v ∂v/v p ∂v Spesso ci troviamo in presenza di una relazione del tipo , per cui,kp = Avcalcolando la sensitività di questa relazione otteniamo:v k (5.9)p k−1 kS = Akv = Av = kv p pe perciò coincide con

L'esponente. Dire che la sensitivity è pari a significa che una variazione in di una certa1/2 pquantità, induce una variazione in della metà della quantità.

v5.2 Stripline

La stripline è una linea di trasmissione costituita da una striscia metallica posta tra due piani di massa. Dal punto di vista elettrico si tratta di una linea a

Figura 5.4: Struttura stripline

Figura 5.5: Campo elettromagnetico

due conduttori, anche se i layer di conduttori sono 3: 2 conduttori freddi e unocaldo, il quale si trova immerso in un materiale dielettrico con permettività εr.

La struttura è mostrata in Figura 5.4.

Il vantaggio principale di questa struttura rispetto alla microstriscia è dovuto al fatto che il segnale elettromagnetico è completamente racchiuso nel dielettrico all'interno della struttura come mostrato in Figura 5.5.

Analogamente al caso della microsctriscia possiamo vedere gli andamenti dell'impedenza

caratteristica rispetto a in Figura 5.6W, h, ε rData inoltre la simmetria della struttura, si trova che il valore massimo, a parità di , della si ha quando il conduttore si trova a metà strada fra i due pianiW Z 0di massa. Figura 5.6: Andamenti di al variare di eZ W ε0 r41Capitolo 6Dimensionamento termicoIl problema dello smaltimento del calore nella costruzione elettronica è dovutoprincipalmente alla geometria delle piste e alla corrente che vi passa, e che ge-nera calore per effetto Joule.Si definisce capacità termica il rapporto tra la quantità di caloreDefinizione.fornita al corpo e la corrispondente variazione di temperatura :Q TJ Q (6.1)'C = K∆TLa capacità termica sarà anche proporzionale alla massa, e perciò possia-mo definire anche una capacità termica per unità di massa , ovvero il calorespecifico: 'C (6.2)C = mSpesso può essere utile riferirsi piuttosto che

all'unità di peso, alla mole, ovvero definendo la capacità termica molare: ′C (6.3)C = n

La relazione lineare tra quantità di calore scambiato e temperatura è lineare solo nell'ipotesi in cui tali variazioni di temperatura non modifichino la struttura del materiale. Esistono per l'appunto i che sono elementi che dissipatori, accoppiati con componenti elettronici di potenza, facilitano la dispersione del calore.

Le modifiche più ovvie che possiamo considerare sono i cambiamenti di stato, tipicamente deleteri, durante i quali il corpo resta a temperatura costante. Si definisce calore latente, il calore che serve per far avvenire completamente il cambiamento di stato.

Temperatura e dissipazione di potenza Nei componenti passivi e a semiconduttore il passaggio di corrente elettrica provoca, per effetto Joule, un innalzamento della temperatura.

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A.A. 2021-2022
61 pagine
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SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-IND/14 Progettazione meccanica e costruzione di macchine

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher loredati di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Costruzioni elettroniche e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università degli Studi di Pisa o del prof Di Pascoli Stefano.