Appunti Elettronica analogica - Modulo 2

Name: Appunti Elettronica analogica - Modulo 2
Rating: 5.0 (2 reviews)
Author: lorenzo.ruggeri37

Revisionato il 28/06/2026

di lorenzo.ruggeri37

Publisher

Vota 5,0/5 (2)

Contenuto verificato e approvato dal Team di Esperti di Skuola.net

Gli appunti sono relativi al secondo modulo di elettronica analogica tenuto dal prof. Claudio Fiegna alla facoltà di ingegneria biomedica (Unibo - sede di Cesena). Gli appunti coprono …

Esame Elettronica

Facoltà Ingegneria ii

Dal corso del Prof. Fiegna Claudio

Università Università degli Studi di Bologna

A.A. 2020-2021

106 pagine

Appunto

Scarica

Estratto del documento

Descrizione del transistor bipolare

Caratteristiche generali

Ic è generica ed è in funzione di Vbe, quindi esiste una relazione con Vbe: esponenziale. Amplifica del BST - definito come transistor-resistor. Resistenza controllabile attraverso la tensione Vbe = Vb - Ve. Dispositivo a 3 terminali Vc e Trans. non in regione normale C. alle uscite Ve e Ie effetti 2 giunzioni p-n con la regione p in comune. Nbe >> Nae, Nbc. Wb molto piccola (tipicamente frazionata) (0,1,100) um permette di generare piccole rispetto a - base e collettore molto sbilanciata. Anche micrometrica è giusto se è inappabile un effetto delle z^ dimensioni.

Interazione delle giunzioni

Le Ve piccole fanno sì che le due giunzioni interagiscano fra di loro e quindi anare le origine della Vbe. Regione normale Vbe = Vbe_on tipico del dispositivo (0,7/0,8 V). Vbc > Naf, Ndcdrogaggio molto sbilanciato. Area molto ridotta (irregolare: frequent AT) (0.1, 100) um permettono un guadagno piccolo rispetto a Bbase e Collector. Anche bidimensionale dato che è inapplicabile un effetto delle 2 dimensioni. La Vbe piccola fa sì che le due giunzioni interagiscano fra di loro e quindi avere le dipendenze dalla Vbe.

Regione normale

Regione normale -> Vbe = Vbe_on tipico del dispositivo (0.7/0.8 V). Vbc on -> generalmente vecchio. Le altre condizioni non servono per il funzionamento come amplificatore. Il flusso più importante è quello di -, le lacune vanno da B e E. In parte si accumulano ancora in continuo e le cariche ma la maggior parte si ha le cariche E più veloci Vbc Vbe -> modulate che Vbe: => calibra controllato dal flusso di elettroni -> Vbe poco esteso e nella regione inversa c'è un è che è fondamentale al passaggio di e zona base e il collettore. Similarità meccanismo del TR con quello del diodo.

Caratteristiche I-V

Caratteristica I-V in es. T. NPN. Regione attiva diretta V_be è variabile → I_C = f (V_be). I_c ≈ I_s (e^V_BE/V_T).

Configurazione ad emettitore comune

Configurazione ad emettitore comune (emettitore connesso a nodo di riferimento). In questo caso si hanno 2 porte: BE a cui imponiamo una tensione V_BE dove scorre I_B. CE dove imponiamo una tensione V_CE dove scorre I_C. Si nota che l'emettitore è in comune a tutte e due le porte. Questa è la famiglia delle caratteristiche di trasferimento perché ci mostrano l'effetto di V_BE sulla corrente di collettore I_C e quindi come si trasferisce l'effetto di V_BE su I_C. Sono le configurazioni esponenziali che ci aspettiamo dal modello matematico. I valori osservati sono in numero ed io li ho ottenuto ponendo V_BE ∊ [0.55...0.75].

Relazione V_CE e V_BE

In realtà V_CE = V_BE - V_BC quindi se V_BE > 0, V_BC ≤ 0. Allora sicuramente V_CE in regione normale V_CE > 0 ed è già compatibile con una V_BC negativa, quindi è assicurato il funzionamento in regione normale per il BJT.

Caratteristiche di uscita

Vediamo ora quale era sono le caratteristiche di uscita, ovvero I_C = F(V_CE) perché vogliamo misurata alle porte di uscita (CE). In questo caso il parametro è V_BE con V_BE ∊ [0.55...0.75]V e quindi siamo in regione normale, con V_CE positiva a portare una regione alta dove il transistor lavora in regime detto di saturazione e/o la corrente di collettore (I).

Anteprima

Vedrai una selezione di 20 pagine su 106