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  • ANALISI SINUSOIDALE

• imp. x le applicazioni pratiche, fa riferimento a un circuito in cui l’ingresso è una f.e. sinusoidale e quindi si esaurisce il transitorio e tutte le grandezze del circuito diventino sinusoidi con la stessa frequenza.

Grandezza sinuisodali:

    s(t)  = sm cos(ωt+Φ)    Am=ampiezza    cos ωt    Ω=pulsazione

        ω =   2π           

                     T

• modul

• trasmissibili •

v(t)= Vm cos(ωt+Φ)

Φ = fase

● operazioni

Derivata

v(t)=Vω sen(ωt+Φ)

d^2v(t)         

LEGGE DI Ohm

( nel dominio del tempo : v(t) = R i(t)

INDUTTORE

Relaz. di def.: v(t)=L di(t)/dt

Sorgente litt sinusoidale: i(t)=Im cos(wt+φ)

v(t)=-LwIm sin(wt+φ) = LwIm cos(wt+φ-π/2)

Im

Re

IΥ = I

CONDENSATORE

Relaz. di def.: i(t)=C dv(t)/dt

Sorgente litt sinusoidale: v(t) = Vm cos(wt+φ)

i(t) = C Vm ws cos(wt+φ) = -Vm wsen(wt+φ) = Cm cos(wt+φ+π/2)

Vm

Re

Im

IMPEDENZA

Il concetto di impedenza equivale ad affermare che l'induttore e il condensatore si comportano come resistori... di cui resistenza dipende dalla frequenza dell'eccitazione sinusoidale.

L'impedenza è padre da: Z = Vω/Iω

[Ω]

In questo num. complesso: Z = R+jX con Re{Z} = R resistenza Im{Z} = X reattananza

AMMETTENZA Y = 1/Z

Resistore: Z = R Re Z = R, Z = R/k

Induttore: Z = jωL, Z = jωL, Z = jωμL = jωL/jωCR = 1/3s

Condensatore: Z = 1/jωC

Serie: Z1

Parallelo:

P tensing D tempo D fasori

POTENZA COMPLESSA

Ma Ieq = Ieq (√R2 + X2/R2 + X2)

  • Se si può scrivere come:
  • (1) Ŝ = VeqIeq (cosφ + j senφ)
  • (2) Ŝ = VeqIeq (cos (φv - φi)+ j sen (φv - φi))

Re{Ŝ} = P P. ATTIVA Im{Ŝ}=Q P. REATTIVA (VAR)

3. impedenze

- Induttivo φ = π/2 capacitivo

- Da impedenza e P. complessa hanno sfasamento ψ poiché:

ψ = arctg(j/sen(Ŝ/Z)) = arctg(X/R)

- Partitore di potenza: il cascolo di fase dell’impedenza di un carico ha analogo significato nell’andamento della potenza, e per questo con f.p:

  • pr = 1 se φ=0 -> carico resistivo
  • pr = 0 se φ ± π/2 -> carico
  • i.e.f. induttivo o capacitivo

P=|Ŝ|(cosφ)=P

In generale 0 < f.p.< 1

RESISTORE

Veqin phase with Ieq

P=VeqIeq

Q=0

INDUTTORE

Only Im{Ŝ}

P=0

Q=Im{Ŝ}

CONDENSATORE

Only Im{Ŝ}

P=0

Q=-Im{Ŝ}

TRIFASE SIMMETRICI E SQUILIBRATI

V= in modulo sfasato di 120°

I1 ≠ I2 ≠ I3

T. diretta: t. principali di fase

  1. E2 = E1 e-j2π/3
  2. E3 = E2 e-j2π/3
  3. E3 = E1 e-j4π/3

Concetti sul codice = c. di linea:

  • I2 = E2
  • E3 = E2 e-j2π/3
  • I3 = E3

Il conduttore che collega 00' (commi stella) è percorso da corrente, in quanto:

I1 + I2 + I3 + I0 = 0 ⇒ I0 ≠ 0

Significa quindi che studiare un intero sistema è ≠ da studiare i 3 sistemi indipendenti (tal caso equilibrato)

Se il sistema è squilibrato il centro concreto + centro astratto:

Ê0 = 1Ê1 + λ2Ê2 + λ3Ê3) / 1 + λ2 + λ3)

Φ: 1/2

Al contrario, se il codice è equilibrato Ê0 = 0 → centro concreto = centro astratto

Casi particolari

(1) Una fase è in corto circuito ⇒ λ3 = 0 ⇒ Ê0 = Ê3

(2) Carico a Y con un ramo aperto

KcL in 0: I1 + I2 = 0

I = V12 / (21 + 22)

→ corrente di linea - corrente del codice

INDUTANZA

Sopponiamo di avere un avvolgimento attorno a un circuito

di materiale ferromagnetico.

La corrente passante un flusso φ concatenato con

l'avvolgimento.

Se i varia nel tempo → φ varia → ai capi dell'avvolgimento

si genera una f.e.m. indotta.

INDUTANZA (coeff. di autoinduzione)

Per avvolgimento con N spire: L = Nφ con φ flusso concatenato

con una singola spira.

LEGGE DI HOPKINSON: φℛ = NI

φ = L = Nφ

→ L dipende dal num. spire e

dalla riluttanza

Legge di Faraday few = -dφc/dt

KVL : V + few = 0

few = -L di1/dt

MUTUA INDUTANZA

2 avvolgimenti vicini:

φ11 → generato da i1 concatenato con l'avvlgm:1

φ21 → generato da i1 via concatenato con l'avv: 2

Sapendo che L = φc/i φ2 = L21 i1 = φM

φ21 = M21 i1 coeff. DI MUTUA INDUTAZIONE

Se i variano nel tempo φM e φ21 variano

e si genera una tensione ai capi dell'avvolgimento.

V1(t) = L di1/dt V2(t) = M21 di1/dt

Si può fare lo stesso ragionamento x l'avvolgimento 2

V1(t) = L21 di1/dt con M21 = M12 = M

V2(t) = L2 di2/dt + M21 di1/dt

Dettagli
Publisher
A.A. 2022-2023
20 pagine
SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-IND/31 Elettrotecnica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher giammabos di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Elettrotecnica e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università degli Studi di Bologna o del prof Ribani Pier Luigi.