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Proprietà chimico-fisiche dei polimeri e cristalli liquidi
Per migliorare le proprietà chimico-fisiche di un polimero si uniscono monomeri differenti, alternandoli in vari modi. Esistono 2 tipi di polimerizzazione:
- Polimerizzazione a catena: vengono aggiunti uno dopo l'altro i monomeri alla catena loro (di solito si generano per poliaddizione)
- Polimerizzazione a stadi: si generano varie catene contemporaneamente che continuano a crescere, collegandosi tra loro (di solito si generano per policondensazione)
I cristalli liquidi sono composti da molecole organiche (lunghe e strette) che possiedono grandi proprietà liquido-cristalline. Queste sostanze non presentano esclusivamente uno stato liquido ed uno cristallino, ma in particolari circostanze sono in grado di organizzarsi in fasi intermedie, dette mesofasi, che presentano caratteristiche sia liquide che solide contemporaneamente.
I cristalli liquidi si possono considerare come fluidi altamente anisotropi che coesistono tra una fase liquida isotropa ed una fase
Il testo descrive le mesofasi, che sono fasi intermedie tra i liquidi e i cristalli, caratterizzate da una struttura cristallina altamente ordinata. L'esistenza delle mesofasi è dovuta ad una particolare configurazione che le molecole possono assumere.
Alle proprietà tipiche della fase liquida (fluidità e mobilità molecolare) e della fase solida (anisotropia ottica ed elettrica) si aggiungono delle proprietà tipiche solo dei cristalli liquidi:
- Capacità di variare grado di ordine grazie a campi magnetici ed elettrici
- Capacità di cambiare colore in base alla temperatura
- Capacità di organizzare in modo sistematico il soluto in un solvente
I composti possono generare mesofasi in 2 modi differenti (composti mesogeni):
- Liotropici: si generano mesofasi quando disciolti in un opportuno solvente ad una data concentrazione
- Termotropici: si generano mesofasi al variare della temperatura o di campi elettrici o magnetici.
I cristalli liquidi termotropici possono essere di 2 forme: discoidali (discotici) o a forma di bastone (calamitici).
atomo vicino, permettendo il trasferimento di calore. Ductilità e malleabilità: gli elettroni mobili permettono agli atomi di scorrere l'uno sull'altro senza rompersi. Punto di fusione e punto di ebollizione elevati: a causa delle forti interazioni tra gli atomi metallici. Resistenza alla corrosione: la presenza di uno strato di ossido sulla superficie del metallo lo protegge dalla corrosione.Solidi ionici: Struttura cristallina: gli ioni positivi e negativi si dispongono in modo regolare formando una struttura cristallina. Elevato punto di fusione e punto di ebollizione: a causa delle forti forze elettrostatiche tra gli ioni. Fragilità: gli ioni sono fortemente legati e non possono scorrere l'uno sull'altro, rendendo i solidi ionici fragili. Conduttività elettrica: i solidi ionici non conducono l'elettricità in stato solido, ma possono condurla quando fusi o in soluzione.altro atomo in un sito diverso del solido.
Deformabilità: gli elettroni non ostacolano il movimento dei cationi che possono quindi adattarsi alla deformazione mantenendo la struttura.
La struttura risulta quindi essere formata da un insieme di nuclei ordinati, circondati dagli elettroni interni, mentre quelli di valenza sono liberi di viaggiare in tutto il solido, collaborando quindi alla formazione del legame. Anche i nuclei non sono fissi, ma oscillano all'aumentare della posizione intorno ad un punto di equilibrio.
La sovrapposizione di tutti questi orbitali conduce ad orbitali atomici separati da piccolissimi intervalli di energia, tali quindi da formare una banda virtualmente continua.
Dato che le energie degli orbitali p sono diverse dagli altri, se sono presenti nello stesso livello si possono creare intervalli tra le diverse bande (intervallo di banda o band gap). In termini formali, per combinazione di N orbitali atomici si formano N orbitali molecolari aventi N-1 nodi.
caratterizzati da valori di energie estremamente vicini tra loro. L'ampiezza totale della banda rimane sempre un numero finito (in quanto N è finito) e gli intervalli della banda tendono a zero al crescere di N. La banda costruita utilizzando orbitali s prende il nome di banda s e così via. Una volta formate le bande, queste vengono riempite dagli elettroni: se ogni atomo fornisce un elettrone, allora saranno occupati (a T=0K) gli N/2 orbitali aventi energia più bassa e così via sino al Livello di Fermi, collocato al centro della banda e corrispondente al massimo livello di occupazione degli orbitali molecolari. Con T>0K la popolazione delle bande si può dedurre dalla distribuzione di Fermi-Dirac: l'occupazione dei livelli di massima energia avviene quindi all'aumentare della temperatura. Se una banda non è completamente occupata o una banda completa si trova sovrapposta ad una vuota (con conseguente azzeramento del band gap), gliElettroni non hanno vincoli ad essere promossi ai vicini livelli liberi quando viene somministrata energia elettrica e quindi il materiale si comporta da conduttore elettronico. Nei solidi metallici le diverse bande si trovano sempre sovrapposte e questo giustifica la loro grande conducibilità elettrica.
La banda di minor livello energetico è detta banda di valenza (VB) mentre quella di massimo livello è detta banda di conduzione (CB).
Se vi sono abbastanza elettroni da riempire completamente la banda di valenza e questa è separata dalla banda di conduzione da un sufficiente intervallo energetico, allora la sostanza è detta isolante elettrico.
Una banda completa e separata da un grande band gap si può considerare come una somma di densità elettroniche localizzate.
In un conduttore metallico la temperatura non agisce esclusivamente sulla distribuzione Fermi-Dirac, ma anche (e soprattutto) sulla vibrazione del reticolo cristallino, limitando la
La mobilità degli elettroni è una caratteristica importante dei materiali semiconduttori. A differenza dei metalli e dei superconduttori, la conduttività di un semiconduttore aumenta con l'aumentare della temperatura.
Il confine tra isolanti e semiconduttori dipende dal "band gap" tra la banda di valenza e la banda di conduzione vuota. Per i metalli, questo valore è nullo, mentre per i semiconduttori è intermedio (tra 0 e 3V) e per gli isolanti è molto elevato.
La conduttività di un semiconduttore varia in modo diverso per ogni materiale in base alla temperatura, quindi il valore della conduttività risulta inattendibile. È meglio considerare l'intervallo di banda.
I semiconduttori possono essere suddivisi in due gruppi:
- Intrinseci: le proprietà di semiconduzione sono proprie del materiale. Il "band gap" è molto piccolo, tanto che alcuni elettroni occupano anche livelli di banda superiori. La conduttività dipende esclusivamente dalla temperatura, che porta ad una maggiore popolazione dei livelli energetici superiori. Solo questi elettroni sono mobili.
per cui il numero dei portatori di carica è limitato ed infatti i semiconduttori intrinseci possono sopportare basse densità di corrente elettrica.
Estrinseci: le proprietà di semiconduzione sono dovute al drogaggio del materiale. Il drogaggio ha carattere sostitutivo, per cui l'atomo drogante prende il posto di uno degli atomi del materiale originario. Quest'ultimo rimane elettricamente neutro mentre per ogni atomo drogante si avrà un elettrone di valenza libero in più. La quantità di materiale drogante è minima (1 atomo ogni 10 atomi), per questo è fondamentale la purezza del materiale originario. La grande distanza tra gli atomi donatori porta l'elettrone a rimanere localizzato in un orbitale di tipo atomico e la banda donatrice risulterà molto stretta. Comunemente si sceglie un drogante che l'energia del livello donatore sia prossima a quello della banda vuota.
Se si sostituiscono atomi del V gruppo
a T>0K alcuni elettroni saranno promossi alla banda di conduzione vuota, potendo quindi muoversi liberi nel reticolo cristallino. Quella che ne deriva è detta semiconduzione di tipo n (n sottolinea che gli elettroni portati dal drogante e responsabili della conduzione sono negativi).
Se si sostituiscono invece con atomi del III gruppo, per ognuno si avrà un elettrone di valenza in meno. Il materiale rimane elettricamente neutro e se il livello energetico dell'orbitale vuoto è in prossimità della banda di valenza piena degli elettroni possono essere termicamente promossi. Quella che ne deriva è detta semiconduzione di tipo p (p indica che i vettori di conduzione sono assimilabili a buche positive che accettano elettroni).
Reticoli cristallini (di Bravais)
La forma esteriore di un solido cristallino si può pensare come ripetizione periodica e uguale nello spazio di una cella elementare cristallina. Questa è costituita dal più semplice
Arrangiamento tridimensionale di particelle identiche (atomi, ioni o molecole) in un solido geometrico. In questo reticolo spaziale ogni punto risulta relazionato ad un altro da semplici operazioni di traslazione. Nello stesso reticolo bidimensionale si possono individuare due celle (anche se la prima è preferita alla seconda). L'intero reticolo si può ottenere dalla traslazione della prima (più simmetrica) o della seconda cella.
Passando ai reticoli tridimensionali esistono 7 sistemi cristallini:
- Cubico
- Tetragonali
- Ortorombico
- Romboedrico
- Esagonale
- Monoclino
- Triclino
Per ognuna di queste geometrie esistono poi 4 varianti:
- Reticolo primitivo (P): i punti sono solo ai vertici di poliedri;
- Sistema a facce centrate (F): i punti si trovano anche al centro delle facce;
- Sistema a basi centrate (C): i punti si trovano anche al centro delle basi;
- Sistema a corpo centrato (l): i punti si trovano anche al centro del solido.
Esistono però
Strutture cristalline compatte e metalli
I metalli hanno una densità ben maggiore rispetto ai materiali ionici e covalenti, infatti sono costituiti da strutture cristalline aventi il massimo grado di impacchettamento, ossia possono contenere il maggior numero possibile di cationi per unità di volume.
Rappresentando uno ione metallico come una sferetta, queste si posizioneranno nel modo più compatto possibile: ogni sfera sarà a contatto con altre 6 sfere sullo stesso piano ed ogni piano si posizionerà in modo da lasciare interstizi della dimensione minore possibile.
Nella sovrapposizione si vengono a creare due tipi di interstizi differenti:
- Interstizio ottaedrico (O)
- Interstizio tetraedrico (T)
Con l'aggiunta di un terzo strato si hanno due possibilità:
- Le sfere sono posi