Legame ionico e legame metallico

LEGAME IONICO

tipo + esempio di legame

• Atomo con bassa elettronegatività forma catione
• Atomo con alta affinità elettronica forma ione

il legame ionico è dato dall'attrazione elettrostatica tra un catione e un anione. l'atomo risultante è elettricamente neutro

es

• Na (2_s)
• Cl (3_s)

• ioni che formano il reticolo sono sferici e indeformabili
• il trasferimento di carica è totale

Energie coinvolte

Na_(s) → Na_(g) E_subl = +108 kJ/mol

1/2 Cl_2(g) → Cl_(g) E_diss(Cl-Cl) = +121 kJ/mol

Na_(g) → Na⁺ _(g) + e^- E_ioniz = 496 kJ/mol

Cl_(g) + e^- → Cl^- _(g) E_{aff. elettr.} = -394 kJ/mol

Na⁺ _(g) + Cl^- _(g) → NaCl_(s) F_reticolare = -787 kJ/mol

Na_(g) + 1/2 Cl_2(g) → NaCl_(s) E_{TOT di formazione} = -411 kJ/mol

affinità elettronica e E di ionizzazione determinano la tendenza a formare il legame

E. RETICOLARE

misura quantitativa della STABILITÀ GLOBALE di un solido ionico

• energia necessaria a separare 1 mole di un composto ionico solido nei suoi ioni allo stato gassoso

E. liberata nella formazione di un reticolo cristallino da ioni che arrivano a distanza di legame

secondo legge di Coulomb Experiental rel. z am

E = K q₁q₂/r

HA in un composto non ci sono interazioni solo tra due ioni:

• uno ione è circondato da ioni di carica opposta a distanza r₁

...a distanza r₁ ed il termine attrattivo tra ioni di segno opposto è dominante

E di interazione < 0 si ha un rilascio di E e ioni legati + stabili ioni separati

E. DI MADEUNG

E rilasciata nella formazione di un reticolo ionico da 1 mole di ioni gassosi isolati

E rilasciata nella formazione di 1 mole di coppie ioniche

CONDUTTORI

NO GAP

• bande attaccate o sovrapposte
• La _g è permesso passare a un livello energetico inferiore con campo elettrico

- la stessa cosa si ha con conducibilitá termica

• con Temperatura > conducibilitá termica
eccitazione termica
• Termoconduzione
• Irraggiamento -> fotodiluizione

- Nella banda di conduzione si creano lacune elettroniche

DROGAGGIO GRUPPO 4A

Il drogaggio di un semiconduttore del gruppo 4A consiste nel SOSTITUIRE alcuni atomi con atomi del GRUPPO V o III

drogaggio di tipo p

• nel metallo si dispongono impurere
• La quindi banda di valenza non piena -> lacune

drogaggio di tipo n

• nel metallo si dispongono impurere
• La quindi e^- valore in b. conduzione

- estrinseci n^o e^- o lacune

- semiconduttori - intrinseci -> ecceri di portatori di drogaggio p o n