Anteprima
Vedrai una selezione di 6 pagine su 24
Esami svolti di elettronica Pag. 1 Esami svolti di elettronica Pag. 2
Anteprima di 6 pagg. su 24.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Esami svolti di elettronica Pag. 6
Anteprima di 6 pagg. su 24.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Esami svolti di elettronica Pag. 11
Anteprima di 6 pagg. su 24.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Esami svolti di elettronica Pag. 16
Anteprima di 6 pagg. su 24.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Esami svolti di elettronica Pag. 21
1 su 24
D/illustrazione/soddisfatti o rimborsati
Disdici quando
vuoi
Acquista con carta
o PayPal
Scarica i documenti
tutte le volte che vuoi
Estratto del documento

Esame 12.01.2017

Per la configurazione a gate comune riportata in figura, determinare il valore della resistenza di source RS e quello della resistenza di drain RD in modo da garantire la circolazione di una corrente di polarizzazione ID = 600μA ed un guadagno a vuoto per piccolo segnale alle medie frequenze AVO = VO/Vsig =14.5dB.

Calcolare la resistenza di ingresso Ri, la resistenza di uscita Ro, il guadagno di tensione complessivo alle medie frequenze Av=Vo/Vsig e fornire una stima della pulsazione di taglio inferiore.

Assumere: COX = 0.175 μF/cm2; μn = 600 cm2/V/s; W/L = 1 e λ = 0.02 V-1.

Esame 12.01.2017

VDD = ±20V

RD

VRD = ?

RS

IO = 600μA

CD = 1μF

CS = 1μF

AV0 = V0 / V1 = 26.5dB

RL = 5kΩ

Rsig = 50Ω

R3 = ?

Rin = ?

Rout = ?

Cox = 0.13 μF/cm2

μn = 600;

nCox)

W / L = 1 ; λ = 0.02 V-1

IO = 1/2 Kn (VGS - VT)2

VGS = 0.84V

Kn = μnCox · W / L = 1.05 · 10-9

W = 0

VGS = 0.8 + √(2 · 600 · 10-6 / 1.05 · 10-9) = 4.28V

VG = 0

RS = (VD - Vn) / ID = 9.7kΩ

gm = 2 · IO = 3.55 · 10-4 ge

1/gm = 2.82 kΩ

IO = d / ID = 88.3 kΩ

30/7/2036

fu = 150Hz

Ic = 2.18Ω

Re = 2.20±2

VA = 82.8V

Bf = 200

Vc > Vce posso applicare il ipotesi del seguace attiva.

Vb =

5.62 = RB IC + 0.7 + IZE IC

IC = 0.45   IC = 21.25μA ≈ Ie

Iβ = IC β = 58.25μA

5.62 = 1.06 + 0.4 = 11.25 * 10-3 Re

Rc = 35 3, 6Ω

  1. Xo = Vo IC = 82, 3 11.25 * 103 = 73115.6Ω
  2. fT = β
  3. gm = 0.45
  4. Xe = 2.18Ω

Trascuro Rs

Rin = RB1 ∥ (Re + Re1α) (β + 1)

Rout = RC2∥ (RC1/(β2/α) + Rπ) = 8960.25 Ω

Av = Vo3/Vi1 = 1.36 ∙ 4.68 ∙ α ≈ Av = 5.25 v̇

Vos ≈ αie Rout

ie

  • Vi = ie (Re + Re11)
  • Vi = Vsig ∙ RB1 / (RB1 + Rsig)
  • ie (Re + Re11) ≈ Vsig ∙ RB1 / (RB1 + Rsig)

Πe

  1. S ∙ 2.5 = - α (RC1 ∥ RB2 ∥ RL) ∙ Re1 / (Re + Re11)
  2. S ∙ 2.5 = - 31.62 / 25 + Re11 = 1 ∙ 1.64 / 1.64 / 30

13.2 ∙ 25 + 5.25 Re11 = -31.62 α → Re11 ≈ 80.52 Ω

AV = Vo1 / Vi1 Vo1 = 532.54 V̇ → [84.52 dB]

Vo = gm ∙ Vπ (ro // RC1 // RL)

VπT = Vo1

AV ≈ rΠe/α

Rin = RA // (RTT + RE // (β+1)RB)) = Δ G1 6,823.7 Ω

Rout = RE // RTT(RL// RB) = 63.65 kΩ

Av = Vo / Vsig ( RE // RL + θ  ) ≈ D.98 = 1 V / V

Vo = (RE // RL)( β+1) U'

U' = Usig Rik / Rin + Rsig

rin = 25 Ω

Avo = -40 dB

Vi

VBE = 0.7 V

VA = 74 V

β = 360

Cπ = 52 pF

Cμ = 4.8 pF

Base comune

VCC = 10 V

RE = 50 Ω

VBE

gm = 38.8 · 10-3 s-1

re = α / gm = 25.22 Ω

rπ = VT / IB = 4.025 kΩ

ro = VAC / IC = 75 / 1 · 10-3 = 75 kΩ

Dettagli
Publisher
A.A. 2018-2019
24 pagine
SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher ant_fus_997 di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Elettronica e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale o del prof Velardi Francesco.