Appunti elettronica completi alcuni esami svolti

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Revisionato il 14/05/2026

di luckylucianooo

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Appunti di elementi di elettronica basati su appunti personali del publisher presi alle lezioni del prof. Crippa dell’università degli Studi del Politecnico delle Marche - Univpm, …

Esame Elementi di elettronica

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. Crippa Paolo

Università Università Politecnica delle Marche - Ancona

A.A. 2016-2017

68 pagine

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INVERTER/PASS TRANSISTOR

La funzione logica NOT può essere realizzata con un circuito digitale denominato INVERTER

Si utilizzano le due regioni |A_v| < 1

cioè V_IN < V_{L MAX} e V_IN > V_{H MIN}

INVERTER/PASS TRANSISTOR

La funzione logica NOT può essere realizzata con un circuito digitale denominato INVERTER

Si utilizzano le due regioni |Av| V_{H_MIN}

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BOOLEANE

a + ab = a

Dim

a + ab = a⋅1 + ab = a (1 + b) = a
a + āb = a + b

Dim

a + āb = (a + ā)⋅(a + b) = a + b
a⁻ + b⁻ = āb̄ De Morgan

Dim

(a + b) + āb̄ = [(a + b) + ā]⋅[(a + b) + b⁻] =

= [a + ā + b]⋅[a + b + b̄] = 1 ⋅ 1 = 1
Data f(Bⁿ) = B, f(x₁, x₂, ..., xₙ) risulta:

f(x₁, x₂, ..., xₙ) = x₁f(1, x₂, ..., xₙ) + x₁^⁻f(0, x₂, ..., xₙ)

Dim

x₁ = 0

f(0, x₂, ..., xₙ) = 0⋅f(1, x₂, ..., xₙ) + 1⋅f(0, x₂, ..., xₙ) =

= f(0, x₂, ..., xₙ)

x₁ = 1

f(1, x₂, ..., xₙ) = 1⋅f(1, x₂, ..., xₙ) + 0⋅f(0, x₂, ..., xₙ) = f(1, x₂, ..., xₙ)

5) a·b + ā·c + b·c = a·b + ā·c

Dim

a·b + ā·c + b·c = a·b + ā·c + b·c·(a + ā)

= a·b + ā·c + a·b·c + ā·b·c = a·b (c + 1) + ā·c (1 + b) =

= a·b + ā·c

MOSFET

REGIONI DI FUNZIONAMENTO

i_D =

0 se V_GS < V_TH
β/2 · (V_GS - V_TH)² se V_GS > V_TH e V_DS > V_OV
β [ (V_GS - V_TH) V_DS - V_DS²/2 ] se V_GS > V_TH e V_DS ≤ V_OV

(A) V_OV = V_GS - V_TH
(B) INTERDIZIONE
(C) SATURAZIONE
(D) TRIODE

β = K_n' = K_n W/L = μ_n C_ox W/L = 2 K

μ_n mobilità degli elettroni C_ox = ε_ox/t_ox capacità dell’ossido permettività dell’ossido spessore dell’ossido

GRAFICI

I_D - U_DS

per U_DS piccole

si comporta in

maniera quasi

lineare nell'

intero del triode

I_D - U_DS

idealità:

in saturazione

è lineare

I_D - U_DS con modulazione del canale

TRIODO

SATURAZIONE

V_GS ≤ V_OV1

V_GS = V_OV2

i_D = β (V_GS - V_TH) (1 + λ U_DC)

λ parametro di costruzione

r_o = ^V_A/_{I_C}

V_A = ¹/_λ

V_DS < V_GS - V_TH

V_TH ≃ 0.7 V

U_I = U_GS

PICCOLI SEGNALI

POLARIZZO PER LINEARIZZARE:

i_D = ^β⁄₂ (V_GS - V_TH)²

V_GS = V_GS + u_gs

i_D = ^β⁄₂ (V_GS + U_gs - V_TH)²

= ^β⁄₂ (V_GS - V_TH)² - β (V_GS - V_TH) u_gs + ¹⁄₂ β u_gs²

i_d

i_d = β (V_GS - V_TH) u_gs

g_m = ^i_d⁄_{u_gs} = β (V_GS - V_TH) = √2 β I_D

pendenza g_m

g_mv_gs

g_mbv_bs

MOSFET COME AMPLI A SINGOLO STADIO

R_G1

R_G2

V_DD

R_D

R_S

SOURCE COMMON

V_DD

i₀

alle variazioni

g_mu_GS

R_D

R_S

U_E

Common Collector Drain

Alle variazioni:

COMMON GATE

V_CC

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