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ES. 2
Per il circuito dell’esercizio precedente, riportare l’andamento dei segnali in ingresso per avere il
worst-case delle transizioni LH e HL e i tempi rispetto all’invertitore simmetrico.
t : A=1, B=1, C=1→0, D=0, E=1 2t
plh p0
t : A=0→1, B=1, C=1, D=0, E=1 4t
phl p0
ES. 3
Riportare lo schema logico di un indirizzamento bidimensionale per una ROM da 1024 bit con
indirizzo da 7 bit in ingresso e parole da 8 bit in uscita. Dire i vantaggi di tale indirizzamento.
Con tale indirizzamento si traggono vantaggi dal punto di vista della potenza dissipata, ma il
vantaggio principale è relativo alla diminuzione dei tempi di lettura.
(per approfondire riportare la spiegazione del par. 14.5 Indirizzamento bidimensionale).
ES. 4
Valutare la variazione di tensione sulla bit line di una DRAM a un transistore per Vd=0V (tensione
memorizzata), Cm=25fF (capacità memoria), Cl=1pF (capacità di linea), Vr=2.5V (tensione di
riferimento). Riportare lo schema elettrico di una bit line con relativo circuito di lettura.
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