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• memoria virtuale

il sistema percepisce una memoria più ampia di quella fisica, dove vi sono solo alcune pagine

prelevate dalla memoria di massa; all’accesso in memoria centrale, la nuova pagina richiesta

viene prelevata dalla memoria di massa e va a rimpiazzare un’altra pagina.

Le memorie spesso vengono dotate di un’ulteriore memoria detta cache, nella quale vengono posti

direttamente segmenti o dati ai quali, da parte di un organo o della stessa memoria, si deve aver accesso. Funzione

analoga svolgono le memorie di transito o buffer, tipiche delle memorie di massa, dove i dati vengono registrati per

poi essere mandati altrove. Le memorie sono allora organizzate in una gerarchia, che in generale, comprende:

• nastri magnetici;

• dischi ottici o magnetici;

• memorie a stato solido.

MEMORIE RAM

Le memorie a stato solido indirizzabili ad accesso casuale sono genericamente dette RAM (random access

memory). Per questo genere di memorie la selezione avviene attraverso l’indirizzo posto all’interno del memory

address e un decodificatore. Se assumiamo n come il numero di bit del memory address e p il numero di bit del

memory buffer, allora è evidente che: n

• la capacità C di memoria è di 2 ;

• il parallelismo è pari a p bit.

Le memorie sono di norma prodotte in moduli, che combinandosi tra loro ed impiantate su una scheda,

formano un’unica unità di memoria. Sia t il numero di moduli presenti sulla scheda, allora p = p +…+p e C =

1 t

C +…+C .

1 t

MEMORIE SRAM E DRAM

Una memoria è costituita da celle elementari, ciascuna delle quali memorizza un bit. Le celle possono essere

di due tipi: • realizzate con una coppia di transistori

ogni cella di memoria occupa sul chip uno spazio maggiore, è dunque possibile realizzare

memorie con chip di minore capacità, ma con ridottissimi tempi d’accesso, da qui il nome di

memoria statica SRAM;

• realizzate con un transistore

ciò che tiene traccia del valore del bit è la capacità di carica che è presente all’interno della cella.

Tuttavia col tempo la capacità elettrica tende a scaricarsi e dunque a perdere l’informazione

contenuta, ma essendo il tempo di accesso di molti ordini inferiore rispetto al tempo di scarica, è

possibile effettuare un’operazione di rinfresco della memoria (refreshing) facendo un ciclo che

legge e riscrive la memoria; da qui il nome di memoria dinamica DRAM.

Le DRAM sono più lente, tuttavia più capaci, pertanto vengono utilizzate come memoria centrale e

costituiscono una gerarchia con le SRAM, che tipicamente sono usate come cache.

BUCHI DI MEMORIA

Alle volte v’è l’esigenza di sostituire un certo numero di registri ad indirizzi consecutivi di una memoria A, con

altri registri, di pari numero e pari parallelismo, costituenti un modulo B fisicamente diverso.

modulo A modulo B

Si crea allora nella memoria A un buco logico, che rende inattivi alcuni registri, sostituendoli con altri, vale a

dire che il selettore accede all’uno o all’altro blocco fisico a seconda dell’indirizzo specificato nel memory address.

modulo A modulo B

registri registri

buco logico sostitutivi

inattivi selettore

indirizzo

MA


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flaviael

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DETTAGLI
Corso di laurea: Corso di laurea in ingegneria informatica
SSD:
A.A.: 2013-2014

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher flaviael di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Calcolatori elettronici I e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Napoli Federico II - Unina o del prof Mazzocca Nicola.

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