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Amplificatore di tensione

Guadagno ad anello aperto

vS = Avo vI
vS = vF RL / (RF + RL)
vX = vF RX / (RL + RF)

AIE = Guadagno ad anello aperto effettivo
AIE = vS / vI = Avo RL / (RL + RX)

Imporre 2 condizioni:
RL >> RX
RF >> RI

Guadagno complessivo:
vS / vIAvo = RS / RL

Amplificatore ideale:
Avo → ∞, vO = ∞

Prof. Palma
Elettronica I
Lorenzo
Ing. Deltuosa - Sapienza

1.5 Amplificatore di tensione

Guadagno ad Anello Aperto:
v0 = Avo vs
vs = v0 vi RL / (RL + Ri)
v0 = vi RL / (RL + Ri)

Effettivo Guadagno ad Anello Aperto:
Ae = v0 RL / v0 RL

Imparo 2 condizioni:
Ri >> RL per evitare che risulti amplificazione
Ri >> Ro per evitare che il segnale venga depresso

Guadagno Compresso:
v0 RL / (vs RL + Ro)

Amplificatore reale:
Avo >> RL + Ro

I 4 tipi di amplificatori

  • Amp di tensione
    Guadagno di tensione a circuito aperto: Avo = V2 / V1 = ∞
    Rs/Ro → 0
    Ro → 0
  • Amp di corrente
    Guadagno di corrente a corto-circuito: Aio = Io / Ii = ∞
    Rs → 0
    Ro → ∞
  • Amp di transconduttanza
    Transconduttanza di corto circuito: Gmo = Io / V1 = ∞
    Ro → ∞
    Rs → 0
  • Amp di transresistenza
    Transresistenza circuito aperto: Avo = Vo / Ii = ∞
    Ro → 0
    Rs → ∞

1.7 Semiconduttori intrinseci

1.8 Semiconduttori drogati

Di tipo n
ni2 = nnpn (legge di azione di massa)
Numero di elettroni liberi nel drogaggio di tipo n: nn > ND
Numero accettore: NA
nn = ND

Di tipo p
Mp = NA
Numero elettroni liberi nel drogaggio di tipo p: pp = NA
NA > np
Se non specificato, np = ni

I.9 Corrente nei semiconduttori

Corrente di deriva è quella prodotta da ogni elettrone e conseguentemente quella dei portatori minoritari a causa elettro:
Jn = q · n · μn · E
Jp = q · p · μp · E
p negli degli elettroni)
an = (qμnn) · S · (Δl · Δt) = = (qμpp) · S · (Δl · Δt)
= = q · n · μn · S · Δt · E corrente di Jp = Δq / Δt = q · n · μn · S · E = q · n · μn · S · μp · E

Densità di corrente ad n Jn Jp = J_tot = Jn · q1 · E(μ) parallelamnete:
jpointed = σ · μn + sn · J_tot μp · p · q · μp · E

In totale:
Densità di corrente di presente:
J = Jn + Jp = ((q · n · μn + q · p · μp) · E
uguale: J = σE
J = E / ρ
E = RESSITIVIT'A
σ = q · (m · μn + μp)

Corrente di diffusione è opposta alla corrente di deriva C2 mentre la nuovnan è inoltre componente del corrente dei minoritari conforme al cambio le stesse all'angolo trasportante di carica.
Jn = q · Dn dxC9DIFUSSIVMDELUE EACHE
Jn = Jp + Dn d42dpJn1

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Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher lorenzo.g di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Elettronica 1 e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università degli Studi di Roma La Sapienza o del prof Palma Fabrizio.
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