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Capitolo 1

1.5 Amplificatore di Tensione

Lindare

Av = Guadagno ad anello aperto

v0 = Avo vt = Avo (vs - v0)

v0 = Avo vs R1 R1 + Rf

- vs = - v0 Rf R1 + Rf

Aveffettivo = Guadagno ad anello aperto = v0 = Rf vs = R1 + Rf

Impongo 2 condizioni:

  • R1 >> Rf per rendere ben stabile il amplificatore
  • R1 >> Rf per evitare che il segnale venga distorto

Guadagno complessivo = v0 = Rf Avo vs = R1 + Rf (amplificatore reale)

(R1) → Rf = ∞

← Avo = ∞

1.7 SEMICONDUTTORI INTRINSECI

1.8 SEMICONDUTTORI DROGATI...

DI TIPO p+

  • Na ≫ ni
  • Numero elettroni liberi nel drogaggio di tipo p+: np = ni2 / Na
  • Na ≫ np

DI TIPO n+

  • Nd ≫ ni
  • Numero elettroni liberi nel drogaggio di tipo n+: nn = Nd
  • Nd ≫ nn

Capacità di diffusione:

Ogni carica minoritaria è diffusione e nel rapporto di contribuente.

Giunzione in poli-spazia

Riconosce equilibrio:

Dn il tempo nella regione.

Definizione:

Quindi:

Corrente nel diodo

In definizione:

Capacità di giunzione incrementando

Ipoteso allora:

PASSo 1:

STUDIO IL GUADAGNO DIFFERENZIALE

SOVRAPP. DEGLI EFFETTI:

A]

Amplitudine in trans.

V01 = V02

VS1 = VIN1 → ΔV = (R2 / R1) VIN1

V01 = V02 = VS2

VS1 =

VS2 =

V02, A =

V02 = VS2

Idem (B):

V21 = 0

VIN = VIN

V21 = VIN1

Guad. Inverso:

VIN = VIN

V21, A = VIN

Sensco. A = B:

V02, B = V01

V21 =

Ac = VIN

PASSo 2:

STUDIO IL GUADAGNO A NODO COMUNE

Analizzare il diodo

si hanno vari modelli

  1. Modello esponenziale

    ID = IS(eVD/VT - 1) VD = VTln(ID/IS + 1)

  2. Modello a caduta di tensione costante

    ID

    VD = 0.7 V

  3. Modello ideale

    ponciamo come e che VD = 0

  4. Modello del diodo perciale

    per piccoli segnali

Esistono 2 tipi di studi:

  1. Analisi grafica

    IS = eVIN/VT

  2. Analisi risperina

    continuum

si procede con Taylor

IQ = IS eVIN/VT

CIRCUITO DI CLAMP

Se nel raddrizzatore di picco, invece di prelevare l'uscita, senza farla parzializzare sul diodo si viene a chiudere a IL circuito di clamp (Di aggancio)

In questo modo il circuito è detto di clamp (= aggancio):

aggancia a zero il picco negativo del segnale di ingresso.

Il circuito di clamp viene utilizzato per recuperare la componente continua persa in un raddrizzatore.

CONSIDERANDO VC:

VIN > Vγ

Q. È DE_NALIANZIONE C > R

Il tempo nella condizione del diodo si considererà quella minore simmetria negativa, bisogna aver aggiunto nel tempo Vin R

In forma VIN = Q

QUESTI particellari & dischi li rendiamo nulla se questo sempre semplici → VD

condizionamento → Vin = VD → VD = 0

Vγ > Vγ = -Vγ = Q

Quindi il diodo sarà intendito t e il condensatore sarà a carica costante

in totale:

Vo = Vout = VIN + VC

ALL'USCITA VIENE SOMMATA DUNQUE UNA COMPONENTE CONTINUA VC

SUPORDINO

compensativa minima, coefficienti precise con template

Vγ ⟸ Q, O ⟸ V f:o

Vγ > Q α. a ⟸ Q

per SEGNAI piccoli e se avere circu,, con fun.it di tsape perfor tempra accettiamo dowels tempra di un nya

Transistor BJT

pnp

Il simbolo dell pnp:

Si suppone attorni:

  • EBG → diodo diretto
  • ECS → diodo inverso

P B C

Risulta in utilizzo del BST nano e trasmettere e sustituisce (o rimpiazza) che B per (positivo) il simsme → segmento e con l’elettricista = vanno rovescio opposto all’ → npn

Le simbologie nei modelli circuitali quando la stessa con la differenza dei stessi e richiamo del gran impatto diQb) (o rig. ro ))

Reione attiva

  • (VEB > 0.4v)
  • (VBC > 0.4v)

RICORDA:

pnp

VT = 25mV

T = 20ºC

(β)

IC ≈ IE

VCE = VCC - RC ic

VCE - VBE = VCE

RC = RL gm =

RL ic

VCE = VCC - RC IC

iC = IC + ic

iB + ic

- iB/iC

- IB

iC = iE

Un altro modo per scrivere un:

Se si flette una:

Semplicemente si noti nel circuito che:

In senso ora (nel sistema di carico) per calcolare:

...

Ri aumenta probabilmente rispetto a Ro

...

Comando ad anello chiuso:

...

Polarizzazione mediante un generatore di corrente

Se il nodo utile risiede: Q1 in leggera zona di saturazione IB = IBE ≈ 0 perciò regola di progettazione

Es: VCE ≤ 0.3 V

Questo schema è detto specchio di corrente.

4.8 Amplificatori a BJT a componenti discreti

Descrizione del circuito...

Amplificazione ad emettitore comune (CE)

Elenco componenti:

  • RG è alta rispetto a... per ...
  • C1 e C2...
    • Con il condensatore ...
    • Ai fini ... alta frequenza...

Dettagli
Publisher
A.A. 2016-2017
138 pagine
28 download
SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher lorenzo.g di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Elettronica 1 e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università degli Studi di Roma La Sapienza o del prof Palma Fabrizio.