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Capitolo 1
1.5 Amplificatore di Tensione
Lindare
Av = Guadagno ad anello aperto
v0 = Avo vt = Avo (vs - v0)
v0 = Avo vs R1 R1 + Rf
- vs = - v0 Rf R1 + Rf
Aveffettivo = Guadagno ad anello aperto = v0 = Rf vs = R1 + Rf
Impongo 2 condizioni:
- R1 >> Rf per rendere ben stabile il amplificatore
- R1 >> Rf per evitare che il segnale venga distorto
Guadagno complessivo = v0 = Rf Avo vs = R1 + Rf (amplificatore reale)
(R1) → Rf = ∞
← Avo = ∞
1.7 SEMICONDUTTORI INTRINSECI
1.8 SEMICONDUTTORI DROGATI...
DI TIPO p+
- Na ≫ ni
- Numero elettroni liberi nel drogaggio di tipo p+: np = ni2 / Na
- Na ≫ np
DI TIPO n+
- Nd ≫ ni
- Numero elettroni liberi nel drogaggio di tipo n+: nn = Nd
- Nd ≫ nn
Capacità di diffusione:
Ogni carica minoritaria è diffusione e nel rapporto di contribuente.
Giunzione in poli-spazia
Riconosce equilibrio:
Dn il tempo nella regione.
Definizione:
Quindi:
Corrente nel diodo
In definizione:
Capacità di giunzione incrementando
Ipoteso allora:
PASSo 1:
STUDIO IL GUADAGNO DIFFERENZIALE
SOVRAPP. DEGLI EFFETTI:
A]
Amplitudine in trans.
V01 = V02
VS1 = VIN1 → ΔV = (R2 / R1) VIN1
V01 = V02 = VS2
VS1 =
VS2 =
V02, A =
V02 = VS2
Idem (B):
V21 = 0
VIN = VIN
V21 = VIN1
Guad. Inverso:
VIN = VIN
V21, A = VIN
Sensco. A = B:
V02, B = V01
V21 =
Ac = VIN
PASSo 2:
STUDIO IL GUADAGNO A NODO COMUNE
Analizzare il diodo
si hanno vari modelli
-
Modello esponenziale
ID = IS(eVD/VT - 1) VD = VTln(ID/IS + 1)
-
Modello a caduta di tensione costante
ID
VD = 0.7 V
-
Modello ideale
ponciamo come e che VD = 0
-
Modello del diodo perciale
per piccoli segnali
Esistono 2 tipi di studi:
-
Analisi grafica
IS = eVIN/VT
-
Analisi risperina
continuum
si procede con Taylor
IQ = IS eVIN/VT
CIRCUITO DI CLAMP
Se nel raddrizzatore di picco, invece di prelevare l'uscita, senza farla parzializzare sul diodo si viene a chiudere a IL circuito di clamp (Di aggancio)
In questo modo il circuito è detto di clamp (= aggancio):
aggancia a zero il picco negativo del segnale di ingresso.
Il circuito di clamp viene utilizzato per recuperare la componente continua persa in un raddrizzatore.
CONSIDERANDO VC:
VIN > Vγ
Q. È DE_NALIANZIONE C > R
Il tempo nella condizione del diodo si considererà quella minore simmetria negativa, bisogna aver aggiunto nel tempo Vin R
In forma VIN = Q
QUESTI particellari & dischi li rendiamo nulla se questo sempre semplici → VD
condizionamento → Vin = VD → VD = 0
Vγ > Vγ = -Vγ = Q
Quindi il diodo sarà intendito t e il condensatore sarà a carica costante
in totale:
Vo = Vout = VIN + VC
ALL'USCITA VIENE SOMMATA DUNQUE UNA COMPONENTE CONTINUA VC
SUPORDINO
compensativa minima, coefficienti precise con template
Vγ ⟸ Q, O ⟸ Vᵧ f:o
Vγ > Q α. a ⟸ Q
per SEGNAI piccoli e se avere circu,, con fun.it di tsape perfor tempra accettiamo dowels tempra di un nya
Transistor BJT
pnp
Il simbolo dell pnp:
Si suppone attorni:
- EBG → diodo diretto
- ECS → diodo inverso
P B C
Risulta in utilizzo del BST nano e trasmettere e sustituisce (o rimpiazza) che B per (positivo) il simsme → segmento e con l’elettricista = vanno rovescio opposto all’ → npn
Le simbologie nei modelli circuitali quando la stessa con la differenza dei stessi e richiamo del gran impatto diQb) (o rig. ro ))
Reione attiva
- (VEB > 0.4v)
- (VBC > 0.4v)
RICORDA:
pnp
VT = 25mV
T = 20ºC
(β)
IC ≈ IE
VCE = VCC - RC ic
VCE - VBE = VCE
RC = RL gm =
RL ic
VCE = VCC - RC IC
iC = IC + ic
iB + ic
- iB/iC
- IB
iC = iE
Un altro modo per scrivere un:
Se si flette una:
Semplicemente si noti nel circuito che:
In senso ora (nel sistema di carico) per calcolare:
...
Ri aumenta probabilmente rispetto a Ro
...
Comando ad anello chiuso:
...
Polarizzazione mediante un generatore di corrente
Se il nodo utile risiede: Q1 in leggera zona di saturazione IB = IBE ≈ 0 perciò regola di progettazione
Es: VCE ≤ 0.3 V
Questo schema è detto specchio di corrente.
4.8 Amplificatori a BJT a componenti discreti
Descrizione del circuito...
Amplificazione ad emettitore comune (CE)
Elenco componenti:
- RG è alta rispetto a... per ...
- C1 e C2...
- Con il condensatore ...
- Ai fini ... alta frequenza...