Appunti Elettronica - parte 3 di 3

Sostituiamo la porta inverterati con delì mosfet:

BL = uscita porta 1 ingresso porta 2

BL = uscita porta 2 ingresso porta 1

1. Q = 0 → Q₂ = 0 → Q₃ = 1
2. Q = 1 → Q₃ = 0

Posso realizzare una cella da 1 bit tramite 6 mosfet, facendo l'uscita di 2 all'ingresso di 1 e l'uscita di 1 all'ingresso di 2.

Se Q = 1→(Uscita porta 2) Q = 0 (Uscita porta 1) = l'uscita della porta 1 = Q

= 0 → ingresso porta 2 = 0 → M₂ = ON + M₃ = OFF

Alla luce di ciò ridisegno il circuito, posso ignorare M₂ ed M₃ e ottenere:

Q

M₄ (ON- SIL DRAIN VF = 0)

Quindi in realtà bastano 4 mosfet per Q 5

Operazione di lettura nelle SRAM

Nelle operazioni di lettura è possibile prevedere in anticipo il comportamento del circuito e quindi la risposta della cella.

BL e BL uniscono migliaia di celle, avranno quindi una capacità parassita e quindi le inseriamo nel circuito con un condensatore.

Per leggere, BL e BL chiudono M5 e BL scarica a massa.

Quindi ottima o scaricatore M5 - M6 (accumulatori) e BL e BL prime ricevono parte dei nuovi potenziali/(con un circuito esterno). Il proporzionamento

capisce e quindi vnb, mentre BL la potenziale è raccolto e

le informazioni influiscono 0 e 1, e vengono alla lettura dipende dalle

dimensioni di M1, M5 e M6, MSI. Sensori amplificatori (sensibile alle variazioni).

Grazie a ciò la velocità è di più di 1000 volte ottenendo risposte in pochi jus.

Memorie Statiche vs Memorie Dinamiche

Statiche

• Relata e memorizzata persiste la durata del power-supply
• Lettura: la più o meno è precaricata a VDD
• È larga: (6 transistor/cells)
• È veloce: (memoria cache)

Dinamiche

• Richiede un refresh periodico
• Lettura (la bit line è precaricata a VDD/2)
• È piccola (1 transistor per cella)
• È più lenta

Riassumendo:

Per realizzare un amplificatore che funzioni a di corrente occorrono un generatore, poi scegliendo O di ottenere l’unidirezionalità delle una tensione ed una corrente.

E valori delle resistenze di ingresso Rin elevato resistenza di uscita Rout sono fondamentali: la Forra dell’amplic parl di figura, efficienza della catena E “sorgente” dell’amplificatore carico.

Ma a livello fisico come situalizziamo imparando con l’amplificatore?

Consideriamone un generico che consente deciso del gener quad. V v’ resistente caratteristica e sopra parte stessa.

Un servoratore controllato invece e la controlla a orgosc contatriato tale la tensione di controllodi impresso.

A noi interessa principalmente la saturazione

Consideriamo dei circuiti cross e questo generare per capire di p avere il

permornie proprietari ali radiali do meglio nel caso sostimisce il MOSFET

Ottotener un modello circuitale

L'equivalente ante generatore di corrente con Vths dopo poste il risult

Per le componenti variabili e in regime del piccolo segnale, il modello diventa:

Modello 1

Sulla base di ciò possiamo calcolare l'uscita

v₀ = V_DD - i_DR_D

Ampiezza e segno del segnale a livello:

A_V = -g_mR_D

Modello 2

Il generatore che fa la funzione di g_mv_gs serve una corrente che attraversa una resistenza (b) che all’uscita è g_mv_gs se aggiungo in serie un’altra asta. Corrente non cambia nulla (si equivale anche rispetto a multipli) essendo la stessa si ha la stessa in partenza.

Esempio 3B

Regione di Triodo

Ripetiamo uno studio visto nell'es2, su questo circuito, approfondendo lo studio sulle polarizzazioni.

• K_n=2mA
• V_T=2V
• V_bb=10V
• V_GS,sat=1,7V
• R₁=50k
• R₂=20k
• R_D=18k

V_G= V_bb R₂ / R₁+R₂ = 2,86V

V_GS= V_T

Ipotesi di saturazione -> uso di formule ma senza certezza di essere in sat.

I_D = 1₂ K_n (V_GS - V_T)² = 0,74mA

V_G - V_D = 2 (0,74 . 18) = 3,96 V

Non è in saturazione ma è in triodo. Cosa faccio?

Ipotesi erro sbagliate, devo ricominciare da capo, lavorando in triodo.

I_D = K_n [ (V_GS-V_T)V_DS - V_DS² ]^1/2

V_db = RD I_D + V_DS

Non è soddisfatta la mia relazione della mia V_DS perché il sistema trova solo una sola V_DS.

• N_d - N_s = K_m (V_GS-V_T)V_DS - V_DS/²

I_D = V_bd - V_DS

15 V_DS + 26,8 V_DS + 10 = 0

V_DS1 = 4,127V

V_DS2 = 0,53V

Ipotesi di morire in triodo u prioritari l segue.

Ho ipotesi di margini in triodo...

Scarto l'ipotesi per nuova analisi dal triodo.

Questa configurazione è chiamata common source (source RS) perché

G gate S source. avendo il nodo di source collegato a

massa.

Amanda il poliverso attive c circuito nella comprenti costitucine e oppassian

le premisce studio ai campanuti AC.

Pizzeri il posto dei mosfeti il modello a piccolo segnale.

Consultarci conclusentemente.

Stesso la Vs.

Io risultator è il seguente:

AC:

Possiamo rendere e molto più.

• R egtt w il posto di qualsiasi resistore,
• modico-caboraretzione pagatiuto
• in modello a piccolo segnale.

A ge

V1

V2

A SD = -gm (RD//RL)

A S = giRL

A i = - gm V

A ED = AD

A1 = = gm VDS AD per cercatte posicio le currusi ciede,

V Aik Aik modici per uidate media sale

Ai B + B gi R

i A i = -gm + rb B = -gm fait (R1/R2) AR

R AC SPORTS RBA RL = -GM UB (RE//R2)

RAi = R3

Per calcolate lo resisteste di iingesso sospintentuo, fgeueratore di

segnael collobsideruratato disimole, idealo V: una elmute una coroute

RR = +

V alt R RB//R

RR B

R o = E limimo R max R se imsessione Vx in plote spegsi sismodocircuitimdido.

C nf

Uo Ro 1

4V

CSP

R1

i2

pr

Qui per noiu compiture e ideocli, nella

maggiori pierte dei casi è possibile di fate

rapigurietone.

Esempio 3

R_L = 4,5V R₁ = 150K R₂ = 30K R_D = 5K R_S = 4K R_gue = 1K V_D = 6 * (150K / 210K) = 4,83V I_D = 2 * 8mA g_m = 2 * I_N

A_r = v_o - v_s / v_i N_S v₃ = 57,2K / 1K + 52,2K = 0,83V

Per il nostro utilizzatore A_L al massimo, se il portafoto è massimo, gli devo mettere

RB_S ≥ 2RL

Se RL ≥ 3.1K e RL ≥ 30 K (si va bene per la polarizzazione)

Io max accerta che può assorbire RL è un posto buon seduto della polarizzazione

V_RB x V_E = V_B = VR - VB x V_E

5 - (10 - 1) RB

(10 - 1) RB < 4 — RB < 6K

In scelta occorre un po’ più piccolo altrimenti avrà troppo da evitare

v_RB - v_RB - R_O = 0

R_O = R_B

R_L = R_M

Esempio 24: Determinare RS applicate I_B = 0.25mA

V_F = 2V

K = 2.10^-3 µ

I_C

R_L

V_RS = 12, 450K = 7.2V

50 K + 100 K

V_RB = (V_RS - V_B)²

0.5 mA 45000

(V_RS - VB)^e A → 1 = 0,25

R_RS = 4.10^-3 V₁

(Vd + VREG - I_D R_S)= 0

7.2 - 2.5 - 4.106 RS RS = 9.600 V = 3.30K

Di verifica che posso in soluzione

Vrs = 42 - 10 K.10^-3 = 7 v

VRR = VRR,72 - A¹² + 0.2 < V

> soluzione

8m - 21T - 2 mA 1 500 ^DC

V_RS - V_T ᵝ_mn