Estratto del documento

Polarizzazione del BJT

Scopo: mantenere il transistore nella regione di funzionamento desiderata: per il BJT → normale diretta, per il MOSFET → saturazione. Indipendentemente dalle variazioni di T, dalle variazioni parametriche del dispositivo, degli altri componenti e dalle variazioni del segnale d'ingresso.

Circuito di polarizzazione con il partitore di RB

Il BJT è un amplificatore di transconduttanza.

gM = IC/VT

K = ICM VT in media 2.5 kΩ

Ro = VABE/IC in media 100 kΩ

Si considera ora il circuito con un path conduttivo alla IC dall'alimentazione via la resistenza. Ovviamente verrà modificato anche il circuito alle variazioni.

Emettitore comune

Polarizzazione del BJT

Scopo: mantenere il transistor nella regione di funzionamento desiderata: per il BJT --> normale diretta; per il MOSFET --> saturazione. Indipendentemente dalle variazioni di T, dalle variazioni parametriche del dispositivo, degli altri componenti e dalle variazioni del segnale di ingresso.

Circuito di polarizzazione da RE

Il BJT è un amplificatore di transconduttanza.

K = IcmVT in media 2,5 KΩ si considera alta

Ro = VAB/Ic ed in media 100 KΩ Si consideri ora il circuito con un path conduttivo alla Ic, dall'alimentazione via una resistenza. Osserviamo le variazioni che verrà assegnato anche il circuito alle variazioni.

EC semplificato

Ri = rπ | Ro = Rc // ro ≈ Rc

Duplicatore di tensione

Guadagno di tensione a vuoto:

Vo = - gm No r(Rc // Ro) = - gm vi(Rc // ro)

A &nul; ∅ = ΔI = - gm(Rc // ro) = - gm Rc

Circuito equivalente come amplificatore di tensione: ┌────┐o───┤Ri ├───┐ ├────┤ ┌─﹢─┐ └────┘ │ANo│ └─﹣─┘ └──────── Ro ────o

Se l'amplificatore a vuoto viene collegato con una sorgente e con un carico: o──────┬──────────────┬───────( )───────o │ │ RL Vs ┌┴┐ ┌─﹢─┐ └───┤Rs│ ──│ANo│──┴───────────o └──┴─┘ └─﹣─┘ partitore / ingresso-uscita

A∅ = dv Π = 40 RcPi Po = - gm Rc(&cdots;) = - gm Rc

RTT + Rs RL + RsRL + Rs

VO = VCE, min (VO) = min (VCE) = VCE, sat

Il valore di VO che consente la max. escursione è VO = VDD + VCE sat / 2

Partitore d'ingresso

IB(T) = (VTH - VBE(T)) / (RTH VBE / VT)

IB(T) = IS(T) eF(T))

VT = kT / q

βF(T) = αF(T) / (1 - αF(T)), α = (1 - α)Fn

αF = 0,98% => βF = 49

αF = 0,99% => βF = 99

La dipendenza della IB dalla T può essere eliminata ponendo VTH >> VBE.

Le variazioni della IB di polarizzazione sono di lieve entità al variare della T, le variazioni di IC a causa delle variazioni di βF non sono trascurabili.

Circuito di auto polarizzazione o a 4 resistori

Dipendenza della Ic dello T attenuata aggiungendo ma RE → se Ic aumenta VBE diminuisce

Ic è legato ad IE tramite αF poco dip dalle T

Ic = (VTH - VBE)/(REF + RTHF)

Se VTH ≫ VBE | RE ≫ RTHF

Circuito con resistenza di base

VDD = VBE + Ic RBF + Rc IE = VBE + Ic (RBF + RcF)

Ic = (VDD - VBE)/(RBF + RcF) dipendenza da T diminuita

VDD ≫ VBE | Rc ≫ RBF

Circuito con generatore di corrente

Stabilità Io => stabilità Ic

R1 serve per fissare la tensione di base; Rc per fissare Io affinché Ric e IE non siano nullo; nel senso chìma ... Io cr ... un carico a cu condan

Configurazioni fondamentali

Emettitore comune

C.E.

1 condensatore in ingresso.

RE1 = 0 → (AC → C. E. )

RE1 ≠ 0 → (AC → C. E. con deg. autopol.)

Base comune

C.B.

Collettore comune

C.C.

Non serve RC in questa configurazione.

VCE = VC − VE; la presenza di RC leva spazio all’escursione ammissibile del segnale.

Analisi ai terminali delle configurazioni

EC senza degenerazione all'emettitore

EC senza degenerazione all'emettitore (RE1 = 0)

RTH = R1 || R2; RE2 c. c. dalla CE

Circuito equivalente amplificatore di tensione Av

ieN2 = RL

ls: 1 Ri

N2 = A von a + ie

li: 1

Scrivo l’equazione della porta di uscita lasciando il conty li emettot determina IP. Può essere rappresentata i2 e nell’equazione succ + csmcli con is

Matrici e circuito unidirezionale → senza retroazione

gd = 1

g0 = Ro − N2

gds des. regc

N2 = 0, Φ

Calcolo delle resistenze

Calcolo della resistenza d'ingresso alla porta d'ingresso e alla porta di uscita Ro

Annullare tutte le geni tori indipendenti

Se l'amplificatore è unidirezionale nel calcolo della RI e della Ro queste resistenze non dipendono dalla chiusura delle porte dello stadio e coincidono con le precedenti indipendentemente dalla rappresentazione scelta.

Semplificatori ad un transistor

EC con RE(t)=0

gm RcB

Ri = Rb + β FR0

Ni = Ni + RE

Rn = Rc || R0

Ro' senza ro

RE e ro sono in parallelo

Vt = (gmNo (RE||ro) = -No

Quest'equazione ha come unica soluzione: No = 0;

Se gmNo = 0; i t = 0 => Ro' = Nt = ∞

Ro' con ro

Vt = ro (i t - gmNo'g) + + i t RE||(ro + RB) = :

No = i t RE⁄(RE+ro+RB) = ro

Vt = RE i t (1 + gm RE ||ro+RE) + RE||(ro + RB) NT;

ro = Nt - ro (1 - β RERE⁄(ro+RE)) + RE||(ro + RB)

Ro'(CE) = ro, moltiplicatore di resistenza

Analisi ai terminali del collettore comune

Circuito equivalente a TR i = R t + (β+1)R L

Ro = R || (Ro' , divo fero linea equilibrio

rt = R c ie (I t) +dit⁄(β+1) R B;

Ro = R CE + RB1⁄(β+1)

dce =No⁄R c =Re⁄(R L+Re) ≤ 1

Anteprima
Vedrai una selezione di 3 pagine su 9
Configurazioni elementari bjt Pag. 1 Configurazioni elementari bjt Pag. 2
Anteprima di 3 pagg. su 9.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Configurazioni elementari bjt Pag. 6
1 su 9
D/illustrazione/soddisfatti o rimborsati
Acquista con carta o PayPal
Scarica i documenti tutte le volte che vuoi
Dettagli
SSD
Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher lorenzo_gabrielli di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Elettronica analogica e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università Politecnica delle Marche - Ancona o del prof Orcioni Simone.
Appunti correlati Invia appunti e guadagna

Domande e risposte

Hai bisogno di aiuto?
Chiedi alla community