Polarizzazione del BJT
Scopo: mantenere il transistore nella regione di funzionamento desiderata: per il BJT → normale diretta, per il MOSFET → saturazione. Indipendentemente dalle variazioni di T, dalle variazioni parametriche del dispositivo, degli altri componenti e dalle variazioni del segnale d'ingresso.
Circuito di polarizzazione con il partitore di RB
Il BJT è un amplificatore di transconduttanza.
gM = IC/VT
K = ICM VT in media 2.5 kΩ
Ro = VABE/IC in media 100 kΩ
Si considera ora il circuito con un path conduttivo alla IC dall'alimentazione via la resistenza. Ovviamente verrà modificato anche il circuito alle variazioni.
Emettitore comune
Polarizzazione del BJT
Scopo: mantenere il transistor nella regione di funzionamento desiderata: per il BJT --> normale diretta; per il MOSFET --> saturazione. Indipendentemente dalle variazioni di T, dalle variazioni parametriche del dispositivo, degli altri componenti e dalle variazioni del segnale di ingresso.
Circuito di polarizzazione da RE
Il BJT è un amplificatore di transconduttanza.
K = IcmVT in media 2,5 KΩ si considera alta
Ro = VAB/Ic ed in media 100 KΩ Si consideri ora il circuito con un path conduttivo alla Ic, dall'alimentazione via una resistenza. Osserviamo le variazioni che verrà assegnato anche il circuito alle variazioni.
EC semplificato
Ri = rπ | Ro = Rc // ro ≈ Rc
Duplicatore di tensione
Guadagno di tensione a vuoto:
Vo = - gm No r(Rc // Ro) = - gm vi(Rc // ro)
A &nul; ∅ = ΔI = - gm(Rc // ro) = - gm Rc
Circuito equivalente come amplificatore di tensione: ┌────┐o───┤Ri ├───┐ ├────┤ ┌─﹢─┐ └────┘ │ANo│ └─﹣─┘ └──────── Ro ────o
Se l'amplificatore a vuoto viene collegato con una sorgente e con un carico: o──────┬──────────────┬───────( )───────o │ │ RL Vs ┌┴┐ ┌─﹢─┐ └───┤Rs│ ──│ANo│──┴───────────o └──┴─┘ └─﹣─┘ partitore / ingresso-uscita
A∅ = dv Π = 40 RcPi Po = - gm Rc(&cdots;) = - gm Rc ∅
RTT + Rs RL + RsRL + Rs
VO = VCE, min (VO) = min (VCE) = VCE, sat
Il valore di VO che consente la max. escursione è VO = VDD + VCE sat / 2
Partitore d'ingresso
IB(T) = (VTH - VBE(T)) / (RTH VBE / VT)
IB(T) = IS(T) e(βF(T))
VT = kT / q
βF(T) = αF(T) / (1 - αF(T)), α = (1 - α)Fn
αF = 0,98% => βF = 49
αF = 0,99% => βF = 99
La dipendenza della IB dalla T può essere eliminata ponendo VTH >> VBE.
Le variazioni della IB di polarizzazione sono di lieve entità al variare della T, le variazioni di IC a causa delle variazioni di βF non sono trascurabili.
Circuito di auto polarizzazione o a 4 resistori
Dipendenza della Ic dello T attenuata aggiungendo ma RE → se Ic aumenta VBE diminuisce
Ic è legato ad IE tramite αF poco dip dalle T
Ic = (VTH - VBE)/(RE/αF + RTH/βF)
Se VTH ≫ VBE | RE ≫ RTH/βF
Circuito con resistenza di base
VDD = VBE + Ic RB/βF + Rc IE = VBE + Ic (RB/βF + Rc/αF)
Ic = (VDD - VBE)/(RB/βF + Rc/αF) dipendenza da T diminuita
VDD ≫ VBE | Rc ≫ RB/βF
Circuito con generatore di corrente
Stabilità Io => stabilità Ic
R1 serve per fissare la tensione di base; Rc per fissare Io affinché Ric e IE non siano nullo; nel senso chìma ... Io cr ... un carico a cu condan
Configurazioni fondamentali
Emettitore comune
C.E.
1 condensatore in ingresso.
RE1 = 0 → (AC → C. E. )
RE1 ≠ 0 → (AC → C. E. con deg. autopol.)
Base comune
C.B.
Collettore comune
C.C.
Non serve RC in questa configurazione.
VCE = VC − VE; la presenza di RC leva spazio all’escursione ammissibile del segnale.
Analisi ai terminali delle configurazioni
EC senza degenerazione all'emettitore
EC senza degenerazione all'emettitore (RE1 = 0)
RTH = R1 || R2; RE2 c. c. dalla CE
Circuito equivalente amplificatore di tensione Av
ieN2 = RL
ls: 1 Ri
N2 = A von a + ie
li: 1
Scrivo l’equazione della porta di uscita lasciando il conty li emettot determina IP. Può essere rappresentata i2 e nell’equazione succ + csmcli con is
Matrici e circuito unidirezionale → senza retroazione
gd = 1
g0 = Ro − N2
gds des. regc
N2 = 0, Φ
Calcolo delle resistenze
Calcolo della resistenza d'ingresso alla porta d'ingresso e alla porta di uscita Ro
Annullare tutte le geni tori indipendenti
Se l'amplificatore è unidirezionale nel calcolo della RI e della Ro queste resistenze non dipendono dalla chiusura delle porte dello stadio e coincidono con le precedenti indipendentemente dalla rappresentazione scelta.
Semplificatori ad un transistor
EC con RE(t)=0
gm RcB
Ri = Rb + β FR0
Ni = Ni + RE
Rn = Rc || R0
Ro' senza ro
RE e ro sono in parallelo
Vt = (gmNo (RE||ro) = -No
Quest'equazione ha come unica soluzione: No = 0;
Se gmNo = 0; i t = 0 => Ro' = Nt = ∞
Ro' con ro
Vt = ro (i t - gmNo'g) + + i t RE||(ro + RB) = :
No = i t RE⁄(RE+ro+RB) = ro
Vt = RE i t (1 + gm RE ||ro+RE) + RE||(ro + RB) NT;
ro = Nt - ro (1 - β RERE⁄(ro+RE)) + RE||(ro + RB)
Ro'(CE) = ro, moltiplicatore di resistenza
Analisi ai terminali del collettore comune
Circuito equivalente a TR i = R t + (β+1)R L
Ro = R || (Ro' , divo fero linea equilibrio
rt = R c ie (I t) +dit⁄(β+1) R B;
Ro = R CE + RB1⁄(β+1)
dce =No⁄R c =Re⁄(R L+Re) ≤ 1
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