Amplificatore differenziale
DC
VOG1 = VG1 + Vg1 VOG2 = VG2 + Vg2
KLV: VG1 - VOS1 + VGS2 - VG2 = 0 VG1 - VG2 = VGS1 - VGS2
Imposto ID1 = ID2 VGF VGS1 = VG2 ⇒ VOS1 - VGS2 = 0 ⇒ |ID1 = ID2 = I0/2
AC
Vog1 = Vg1 + Vg1 Vog2 = Vg2 + Vg2
KVL: Vg1 - Vos1 + Vgs2 - Vg2 = 0 Vg1 - Vg2 = Vgs1 - Vgs2
Imposto ID1 = ID2
Se vogliamo l’amplificatore dobbiamo avere i MOSFET in regione di saturazione ID = β/2 (VGS - VTH)2
VGF = VGS1 = Va2 ⇒ VGS1 - VGS2 = 0 ⇒ |ID1 = ID2 = I0/2| con la R mos su →
Differenziale con i bt
VB1 = VB + Vb1 VB2 = VB + Vb2 iVb1 e Vb2 possono essere espresse con le loro media Vcm e la loro differenza Vd
{Vb1 = Vcm + Vd Vb2 = Vcm - Vd Vcm = Vb1 + Vb2 / 2 Vd = Vb2 - Vb1
Tensione di modo comune tensione differenziale
Per grandi segnali VB1 e VB2 si comportano diversamente per via del rumore VB1VB2VcmVd
Circuito amplificatore differenziale alle variazioni
Si può studiare con Bartlett, sovrapposizione degli effetti con Vd e poi Vcm. Il caso dello studio di Vd sarà fatto con il C.C. sull'asse di simmetria del circuito, analogamente il caso della Vcm sarà fatto con il C.C.
Vosd = -gm Rc (Vd / 2) Vosd = gm Rc (Vd / 2)
Calcolo di Vocm
Si avrà che Vos1 = Vosd + Voscm = -gmRc/2 Nd - gmVRiVcm/9 + gm2Ri
Vos = Vosd + Voscm = -gmRc/2 Nd - gmRiVcm/1 + 2gmRi
Se gmRi >> 1 Vocm = Rc/2Ke
Se il generatore di corrente è ideale (Ri > ∞) vario nell’uscita sbilanciata Vos i solo la Vd
Il parametro che misura la bontà del dif elimina il segnale e modo comune nell’uscita sbilanciata vi sedefferelfth in ripos ide per corizone del modo comune CHRR = 19d / 29cm = 1 + 29gmRi/19gmRi2
Amplificatore differenziale con degenerazione di emettitore
Si studia sempre tramite il teorema di Bartlett. Il guadagno differenziale è quello dell'amplificatore comune con resistenza d'emettitore Ad = -gmRC/1 + gmRE/2αF
CMRR = 1 + gmRI/αF/2(1 + gmRE/2αF) ≈ 2RI/RE
Amplificatore differenziale a MOSFET
Ad = -gmRD i Acm = -gmRD / (1 + 2gmRI)
CPRR = 1 + 2gmRI Ri = ∞
Amplificatore differenziale a dispositivi complementari
La polarizzazione dei MOS a canale p ed n è bipolare e simmetrica eccetto che i generatori di corrente sono collegati a VDD invece che al nodo comune.
Le RC (o RD), invece, sono collegate al nodo comune. Queste differenze scompaiono nel circuito equivalente alle variazioni in cui VSD è corto circuitato con il nodo comune.
Specchi di corrente
Vengono utilizzati per realizzare generatori dipendenti o indipendenti di corrente
BJT VREF IQ VBE ICQ1 = ICQ2, IB2 = ID2, IB IREF = IC + 2IB ISS1 = ID2 IREF = IO
IO : transistor uguali Stesse zone di funzionamento T stesse T Stesse VBE o VDS
IO = IC = IREF
IREF : IREF IO = IREF MOSFET IO = IREF BJT
La regione in cui Io è indipendente da VCE o da VDS è- normale dirette BJT- saturazione MOS
VCE1 = VBE1 -> QS è per forza in normale dirette: VCE BE, sat VDS1 VDS1 -> Ma è per forza in saturazione VDS1 > VDS1, sat = VGS - VTH
VCE2 = VO > VCE, sat VDS2 = VO > VDS, sat
Problemi
- Range di funzionamento io = f(Vo)? Io = iiiE = iO Il problema di questi generatori VDS di corrente è che Ro di uscite dello specchio: RO legame lineare tra iO e VO
- Specchio con MOSFET come amplificatore Ri = 1/gmS1 Ro = Ro2 ↑ i2 = gmS2 vgs - gmS2 1/gmS1 i1 Δi = gmS2/gmS1
- gfD = R(WGS-Vt+/2RfD βn = (μ Cox W/L)βn2 = K/βmS → IDα = βm1(VGS-VTH1)2
- IDα = √βm2IDα/√2βm1IDα = √βm1K IDα/βm1IDα = K
- iDα = IDα + idα più si aumenta Rs più diminuisce il range di funzionamento
Specchio di Wilson
Vo= VDS2 + VDS3 VDS2 è finito del valore di Io Vo > VDS2 + VDS,sat = 2VGS2 - VTH Vt = (I + qmq = qg3) (RQ3 + (1 / qDqg32) t IVGS3 = Q3 - Q11 / qDS2 It IqDS2 I
Osservazione dei transistori opgm3 ≈ gm2 ≈ gm1 ≈ gm5 ≈ gm3 it [ ( 1 + gm5 R11) (ro1) ro3 + 1/gm5 ]
Ro = ( 2 + gm5 RTH (ro1) ) ro3 + 1/gm5
Specchio Cascode
No = VDS2 + VDS4 = VGS + VDS4 No > VGS + VDS4 = 2VGS - VTH gm3 = gm4 i = 01/gm5 ro = G6 gm R9 gf = R9 ga2 = o > 0s
- Stesso range di Wilson, ma Ro più - Altro svantaggio di Wilson, M2DS = Vos; Vos = Vos → le due correnti per il calcolo di Ro, non sono perfettamente bilanciate - Specchio di Wilson modificato
Amplificatore differenziale con carico attivo
Se ho le due tensioni di gate di M1 e M2 = VG e idD M2 è in sat → i0 = 0
Se la ID è entrante → M3 deve fornire una corrente minore → deve andare in triodo
Se la ID è uscente → M2 deve essere in triodo IDS1 + IDS2 = costante
I secondare del verso delle correnti uscenti io, avrò M3 o M2 in triodo
Circuito comparatore di corrente
Hp: tutti i MOSFET sono uguali M1 e M2 sono connessi a specchio → i1 viene portata de M1 a M2, stesso cosa per M5 e M6 in cui i2 viene portata de M5 e M6
M3 e M4 sono anche loro connessi a specchio → i3 = i1
KLC i1 = i2; se i1 > i2 → M4 deve andare fuori dalla regione di funzionamento, non deve volare mantenere osservare la curva caratteristica nella zona di triode VOUT → i1 tende a diminuire al portata al valore di i2 → se i1 2 → VOUT
Amplificatore differenziale con carico attivo: Calcolo di Ro
(Ri=∞ ; ro1=ro2=∞) KCL: gmvgs = (it - Vt/ro); V, vgs = -1/2gm (it - Vt/ro)
KLV: Vt - ro (it - Vt/ro) + vgsx0; Vt - ro(1) (1/2gm) Vt (1 + 1+ 1/2gmro) = it (ro + 1/2gm)
gmro >> 1 Ro = Vt/it = 1 + 2gmro / 2gmro1 + 2gmro / 2gmro
- Rin = ∞ ↑ Ro ≅ ro/2 ↑
Amplificatore di transconductance
Specchio
Circuito equivalente alle variazioni trascurando le Vds dei MOSFET
Trascurando le Vos, il circuito “specchio” non influenzerà più le Id1 e Id2 nonostante Vod1 sia diverso da Vod2. Io1 e Io2 dipenderanno solo dal circuito sottostante, che è antisimmetrico Vgn1 = Vd⁄2 = -Vgs1; Id1 = gm Vd⁄2 = -Id2
Considerando anche il circuito "specchio"
Guadagno di transcond. Gd = gm
Guadagno di tensione vuoto Av = Gd · Ro = gm Ro/2
Guadagno di tensione Av = gm Ro || RL
Guadagno differenziale trascorrendo Adm = gm/2 (RC || RL)
Questi stadi amplificatori possono essere utilizzati in cascade
Amplificatore multistadio
A1, A2, A3 appart.sono alle configurazioni elementari