Appunti esame Dispositivi elettronici

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Author: margherita.bruno

Revisionato il 25/07/2026

di margherita.bruno

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Appunti dell'esame di Dispositivi Elettronici dal prof Bonani. Con proprietà semiconduttori, analisi cristallo drogato, proprietà trasporto, fuori equilibrio, giunzione PN, BJT, …

Esame Dispositivi elettronici

Facoltà Ingegneria dell'informazione iii

Dal corso del Prof. Bonani Fabrizio

Università Politecnico di Torino

A.A. 2020-2021

57 pagine

Appunto

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Estratto del documento

Proprietà generali materiale semiconduttore

Sabato 19 dicembre 2020 10:25

Sistema di materiale cristallino (Si) + terminali elettrici che applicano tensioni tramite elettrodi.

Date tensioni Vi -> determinare relazioni costitutive Ii(V1,V2,V3).

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Analisi cristallo drogato

Sabato 19 dicembre 2020 15:42

Drogaggio = sostituzione di alcuni atomi del cristallo con atomi diversi (numero trascurabile).

1 - Atomi del 5 gruppo = tipo n / tipo donatore (As).
2 - Atomi del 3 gruppo = tipo p / tipo accettore (B).

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Proprietà di trasporto

Domenica 27 dicembre 2020 10:18

Carica libera all'interno di materiale = studio della dinamica di e- in BC e lacune in BV.

In reticolo cristallino ideale (solo atomi cristallo) e perfettamente periodico, sostituisco l'eq di e- in BC con eq della meccanica classica di particelle libere (energia potenziale costante) di massa efficace che dipende dal cristallo.

Lacune in BV seguono eq della meccanica classica di particelle libere di massa efficace che dipende dal cristallo, ma nel cristallo non sempre presente idealità del reticolo (aperiodicità):

Difetti reticolari (atomi in posto sbagliato).
Atomi di impurità al posto di atomi di cristallo (atomi droganti).
Atomi hanno energia cinetica (energia termica) = vibrazioni reticolari (posizioni diverse associate a particelle fononi).

Cariche libere (urtano) interagiscono con qualsiasi aperiodicità di reticolo = fenomeno di Scattering (diffusione).

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Semiconduttore fuori equilibrio

Domenica 27 dicembre 2020 11:31

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Generazione: e- da BV a BC.

E libero in BC.
Lacuna in BV.

Ricombinazione: e- da BC a BV.

Nuovo legame covalente (generazione ottica se rilasciato fotone).

Generazione: livello intermedio in banda proibita non vicino a BV e BC = impurità profonde.

Ricombinazione.

Massima efficienza per live.

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