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Formulario Elettronica

2023-2024

Politecnico di Torino

Ingegneria Aerospaziale - AER2

Corso di Fondamenti di Elettronica

Prof. Franco Fiori

Formulario Elettronica

Questo formulario si propone di raccogliere tutte le principali formule, metodologie di risoluzione, schemi e, più in generale, tutte le cose più importanti da ricordare per passare l'esame.

Diodi

ID = IS(eVD/nVT-1)

  • In base a dove entra: Diodo ON (in conduzione)
  • Corrente, si ha: Diodo OFF (in interdizione)

Risoluzione di circuiti contenenti diodi:

  • Si ipotizza che il diodo sia ON oppure OFF
  • Se la 1a non è verificata allora il diodo è sicuramente nello stato opposto

Modello Ideale

  • VD<0 OFF VD>0 ON
  • ID=0 (VD,0) ID>0 (0,ID)

Modello a Caduta di Tensione

  • VD<Vγ OFF VD≥Vγ ON
  • ID=0 (Vγ,0) ID>0 (Vγ,ID)

Modello a retta tangente

  • VD<Vγ OFF VD≥0 ON
  • ID=0 (Vγ,0) ID>0 (VD,ID)

Ovviamente se è possibile calcolare lo ID in maniera semplice, conviene perché poi VD=Vγ+ID⋅ra

Se ci sono 2 diodi in serie, se tensioni sono concordi, si sommano le tensioni e si disegna un singolo diodo al posto di due

Se invece ci sono 2 o più diodi non in serie, bisogna adottare il circuito in tutte le combinazioni possibili finché una è giusta.

  1. Si prende la ID del modello (e la chiamiamo ID,mod)
  2. Si calcola gd=ID,mod/Vd
  3. Si calcola ID(0)
  4. Si calcola Vd = Vd(·)
  5. Si calcola Vgd = Vgd-ID(·)rs

Si sostituisce il diodo usando un time resistore ed un generatore

e si risolve il circuito con questo sistema

e si calcolano Vo e ID tramite le metodologie già studiate nel corso di elettrotecnica

Alcune volte è richiesta la caratteristica ingresso-uscita

per ricavare è necessario scrivere Vo in funzione di Vin, dove:

  • Vo: tensione d'uscita, tensione sul carico
  • Vγ: tensione d'innesco, tensione del generatore
  • Se più diodi, vette possono terminare archi, dentro tra questi o tipologia - in questo caso bisogna tenere la relazione tra Vo e Vin per provare ogni cambio stato ai primi valori di d

RTS con GEN. di CORRENTE COST. come CARICO (RIS GEN)

Per studiare tale circuito bisogna scrivere la relazione IC = C dV / dt e considerandola nell'intervallo di tempo in cui il diodo è spento, si ottiene la seguente relazione:

RIPPLE → se Δt << T allora

quando il DIODO è OFF il circuito diventa:

quindi la IC che compare nelle formule sarebbe proprio la I del GEN.

Per quanto riguarda la relazione del TEMPO DI CONDUZIONE, essa rimane la stessa del caso classico: TEMPO D'ACCENSIONE del diodo

Δt = 1/2 π f2 ΔVf/Vpk

RTS con 2 DIODI (RIS 2D)

Se T - Δt << RC

e Δt << T → RIPPLE →

ΔVt = (Vpk - 2Vt)        T/RC

TEMPO D'ACCENSIONE del diodo

Δt = 1/2 π f2 ΔVt/Vpk

OSSERVAZIONE

Per TUTTE le TIPOLOGIE DI RADARILATORE, se la richiesta è semplicemente:

  • il PUNTO DI LAVORO dei DIODI
  • lo studio di Vo in funzione di Vin : Vo(Vin)

Si procede con le METODOLOGIE CLASSICHE già viste precedentemente nell'analisi di reti con diodi.

Se invece viene richiesto Vo(t) bisogna TRACCIARE GRAFICI COME QUELLI VISTI IN QUESTO CAPITOLO

REGOLATORE

Se utilizziamo il TEOREMA DI THEVENIN ai capi del DIODO possiamo ottenere la condizione per cui Rs mantiene il DIODO ZENER in BREAKDOWN.

Vth = RL/RL + RS Vin

Rth = RL//RS

IZ = Vth - Vz/Rth > 0

CONDIZIONE valore RS per MANTENERE DZ in BREAKDOWN

RS < (VIN - VZ)RL/VZ

Se volessimo calcolare il RENDIMENTO η = PO/PIN

SENSIBILITÀ

SVo/VIN = VIN dvo/VO dvin = rDZ//RL/rDZ//(RL + RS)

CONVERTITORE BUCK-BOOST

duty cycle \( D = t_{ON} \)

\( f_{SW} = \frac{t_{on}}{t_{tot}} = \frac{t_{on}}{T} \)

\( \frac{V_O}{V_{in}} = -\frac{D}{1-D} \rightarrow V_O = -\frac{D}{1-D} V_{IN} \)

\( i_L(t_{on}) = i_L(0) + \frac{V_{in}}{L} t_{on} \)

\( i_L(0) = i_L(T) \)

\( i_L(T) = i_L(t_{on}) - \frac{V_O}{L} t_{off} \)

CORRENTE MEDIA

\( = \frac{I_O}{1-D} = \frac{V_O}{R(1-D)} = \frac{I_O \cdot V_O}{V_{IN}} \)

\( \Delta i_L = \frac{V_{IN} D}{f_{SW} \cdot L} = \frac{V_{IN}}{L} D T \)

RIPPLE nell’induttore durante \( t_{on} \) e \( t_{off} \)

Negli esercizi in cui dobbiamo PROGETTARE un circuito con OpAmp avendo Vo(Vin) e Vref, si procede così:

Vo(Vin) è del tipo:

Vo=±k Vin ± OFFSET

  1. poi ci si calcola α = somma coefficienti + e β = somma coefficienti - considerando però invece dell'OFFSET, OFFSET/Vref

esempi:

Vo=3Vin+1V, Vref -2V → α=3; β=0.5

Vo=-2Vin+5V, Vref +0V → α=0.5; β=2

Vo=4Vin-3V, Vref -1V → α=4; β=3

Vo=3Vin+5V, Vref -1V → α=8; β=0

Vo=-4Vin-2V, Vref -2V → α=0; β=5

Vo=-2Vin+5V → α=2.5; β=2

Vo=5Vin-7V → α=2.5; β=7

Vo = 5Vo-Vo, Vref-Vref → α=5+3; β=1

  1. α=β+1 → Rx, Ry non necessari

    α < β+1 → Ry necessaria

    α > β+1 → Rx necessaria.

OpAmp SOMMATORE GENERALIZZATO

Esempi di rappresentazione in MOS delle porte logiche

NOT

AND

NAND

OR

NOR

Procedimento da seguire per trovare la funzione minima che lega gli ingressi alle uscite

  1. Innanzitutto si scrive la tabella di verità per gli ingressi.
  2. Si identificano le porte logiche a partire dai MOS.
  3. Si trascrivono e si calcolano le operazioni relative alle porte logiche identificate.
  4. Alla luce di tutto ciò si scrive la tabella di verità per l'uscita, identificando quando essa assume un livello logico alto (1) o basso (0) e intende quella che la funzione minima.
  5. Si costruisce la mappa di Karnaugh e si procede nelle modalità già elencate.
Dettagli
Publisher
A.A. 2023-2024
28 pagine
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SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher Darcjin di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di fondamenti di elettronica e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Politecnico di Torino o del prof Ragusa Carlo Stefano.