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Transistor

Appunti di elementi di elettronica sui transistor basato su appunti personali del publisher presi alle lezioni del prof. Crippa dell’università degli Studi del Politecnico delle Marche - Univpm, della Facoltà di Ingegneria. Scarica il file in formato PDF!

Esame di Elementi di elettronica docente Prof. P. Crippa

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Funzionamento Inverso (Attiva inversa)

BC -> diretta BE -> inversa

La situazione è equivalente a quella descritta per il funzionamento normale con le tensioni

invertite, i fenomeni che accadono sono simili, invece, a causa delle concentrazioni di drogante tra

emettitore e collettore, sono diversi i rapporti tra le correnti. La percentuale di elettroni che dal

collettore raggiungono l’emettitore, è molto più bassa. Questa modalità di funzionamento non ha

interesse pratico.

Saturazione

BC -> diretta BE-> diretta

In questo caso la base ha potenziale più alto sia dell’emettitore che del collettore.

Polarizzando direttamente entrambe le giunzioni si toglie ogni ostacolo alla diffusione degli

elettroni liberi che tendono spontaneamente a migrare verso la zona a concentrazione minore.

Nella base si crea una zona di passaggio mentre nelle zone neutre la concentrazione viene

mantenuta stabile.

Rispetto al funzionamento normale, in saturazione la corrente di base è percentualmente

maggiore della corrente di collettore; esse cresce sensibilmente se si aumenta la tensione base-

emettitore, senza che ciò provochi un aumento della corrente di collettore. Le tensioni tra BC e BE

non possono differire di molto perché sono entrambe polarizzate direttamente.

Le correnti del transistor

Il transistor è interessato da tre correnti: Ic, Ib, Ie.

Nel funzionamento normale la corrente maggiore è quella di emettitore ed è simile a quella di

collettore, la base ha una corrente molto piccola Ib = 1% IC.

La legge di Kirchhoff ci permette di stabilire la seguente relazione: Ie = Ic + Ib.

La grande utilità del transistor è legata al fatto che la Ic è proporzionale alla Ib, il loro rapporto è

Ic

β=

denominato guadagno statico di corrente: .

Ib

Modello di Ebers-Moll

Il modello di Ebers-Moll è un modello circuitale del BJT per i grandi segnali.

  1

F

  0.02 / 0.5

R (VBE/VT)

I = I (e – 1)

DE SE (VBE/VT)

I = I (e – 1)

DC SC

V = KT / Q

T

I = I -  I

E DE R DC

I = I -  I

C DC F DE

  / 1- 

F = F F

  / 1- 

R = R R

Transistor MOSFET


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11

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5.57 MB

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+1 anno fa


DETTAGLI
Corso di laurea: Corso di laurea in ingegneria informatica e dell'automazione
SSD:
A.A.: 2017-2018

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher luckylucianooo di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Elementi di elettronica e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Politecnico delle Marche - Univpm o del prof Crippa Paolo.

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