O led (funzionamento) e MOF metal organic framework (riassunto)

Sol-gel, dip coating e spin coating

Preparazione SiO₂

SiO₂ TEOS Si(OEt)₄

Idrolisi: Si(OEt)₄ + H₂O → Si(OEt)₃(OH) + EtOH

Si(OEt)₄ + H₂O → Si(OEt)₂(OH)₂ + 2EtOH

Condensazione: Si(OEt)₂(OH)₂ = Si(OEt)(OH)₃ (OEt)₂ Si(OH) 0 = Si(OEt)₂

Per avere soluzioni in grado di bagnare il substrato è preferibile da catalisi acida.

Rutenio

Ru (bpy)₃²⁺ → attiva tutte le proprietà di luminiscenza nel visibile.

Dip-coating

Assorbente a pressione redditizia 2/3.

Spin-coating

Meccanismo soluzione più viscosa, post trattamento generale K/L(u) 962.

O-led: organic light emitted diodes

Strato emittente > strato conduttore > substrato, contatti per anodo e catodo.

Semiconduttori organici:

• Semiconduttore p
• Semiconduttore n
• Buca accettore e^- portatori

BdC BdV E_F E_F giunzione p-n in contatto campo elettrico E_F e^- | e^- v vm carico polarmente equilibrio contrario.

Potenziale -alimentazione potenziale + elettronitrasmigra da n a p buca da p a n nella giunzione si ricombinano buca ed elettroni.

Elettrone occupa la buca livello energetico poi basso energia emissione di luce (si prende dal energy gap).

Ripetizione: sol-gel, dip coating, spin coating

Preparazione SiO₂: Si usa TEOS Si(OEt)₄

Idrolisi: Si(OEt)₄ + H₂O → Si(OEt)₃(OH) + EtOH

Si(OEt)₃(OH) + H₂O → Si(OEt)₂(OH)₂ + EtOH …

Condensazione: Si(OEt)₂(OH)₂ + Si(OEt)₂(OH)₂ → (OEt)₂Si(OH)-O-Si(OEt)₂ …

Per avere soluzioni in grado di bagnare il substrato è preferibile la catena.

Ru(bpy)₃²⁺

→ Al buio perde proprietà di luminescenza irreversibile.

Dip coating

Assorbimento a spessore «relativo» 2/3.

Spin coating

→ Mettendo la soluzione più viscosa → post trattamento perché x K(w) 962.

O-led: organic light emitted diodes

Strato emettitore, strato conduttore, substrato, contatti per anodo e catodo.

Giunzione p-nn - citi c - pV elettrodo, elettroni → emissione di luce (↓ si prende dall'energy gap).