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Esame di Tecnologie generali dei materiali 18/1/12

Esercizio 1

Calcolare la densità atomica planare in atomi per millimetro quadrato per i seguenti piani cristallini dell’oro CFC, che ha una costante reticolare di 0.40788 nm: (a) (100), (b) (110), (c) (111).

Riportare un disegno della cella elementare con la traccia del piano e la sezione degli atomi intersecati per ogni caso in discussione.

Esercizio 2

Un materiale isotropo omogeneo è soggetto ad uno stato tensionale piano:

100 20 0
20 100 0
0 0 0

MPa.

Trovare le direzioni ed i valori principali di tensione; scrivere il tensore degli sforzi in un sistema principale. Sapendo che E = 50 GPa e ν = 0.3, calcolare lo stato di deformazione del corpo. Calcolare la deformazione longitudinale lungo una direzione a 45° rispetto agli assi principali siti sul piano delle tensioni.

Esercizio 3

Per il diagramma di stato di seguito riportato, tracciare la curva di raffreddamento qualitativa delle leghe: a) 15%, b) 25%, c) 40% e d) 47% atomico di Al, da 1600 °C a 600 °C.

Conoscendo i pesi atomici del Ti (47.8 uma) e dell’Al (26.9 uma), calcolare la massima solubilità espressa in tenore massico percentuale dell’Al nel Ti e viceversa a 600 e 800 °C; la solubilità aumenta o diminuisce con la temperatura? Perché?

A 800 °C, descrivere mediante campi circolari e calcolare le microstrutture di equilibrio delle leghe: e) 20%, f) 30% e g) 40% atomico di Al.

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Tecnologie generali dei materiali - prova 18 gennaio 2012 Pag. 1
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