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COND

donatori

A TeTomb atomi

tutti fissi

è

gli un

cedono IONIPositivi

di 10

33

elementi valenza

ACCETTORI è

con manca

si

è nelle vicinanze

trova

che essere

un accettato

può

Icona spostarsi

può

E

è DELLE LACUNE

DEGLI

CONCENTRAZIONE concentrazione

concentrazione ND atomi

di

lacune concentrazione atomi

DONATORI an

µ pgp NA atomi

di

concentrazione

n p ACCETORI

SEMICONDUTTORE SEMICONDUTTORE I

TIPO P

TIPO

DI M DI NA o

NAP

NEEELIARIA M

9

NA

ND

TIPO M

SEMICONDUTTORE DI

ftp.ia.no ftp.na.n.I mmitca.name

mito

NA

MIND

M

NA

NA

M INTANAENTINAIMIANDINI NA

MEINA

2 DI TIPO

SEMICONDUTTORE p

PANE MEMI NA o

mi PINA

è P

Naj

NA

AND M paio.mg

NA

NA TENDINE ND

PAINA

pe D

DI

A BANDE

MODELLO ENERGIA

DONATORI

Gli atomi donatori localizzati un

su

sono

livello ED LIVELLO DONATORE

L'Etermica alla

da è

fornire per

agli passare

banda deve

di conduzione essere maggiore

dell'energia Ed

di Ec

ionizzazione

ACCETTORI

Gli ulteriori

accettai

atomi introducono

stati livello

livelloEA

localizzati su un ACCETTORE

CORRENTE DIFFUSIONE

DI da

le di

concentrazioni sono distribuzione

caratterizzate una

impunità

NON UNIFORME

variazione delle

concentrazioni

spaziale DIFFUSIONE

liberi

PORTATORI

DEI Tp gopp

Ipdiff NÈ

Dp

a F di

relazioni

EINSTEIN

Idiffayamfffiffigiadiffusione che

Mccozione mobilità

la

lega

alla diffusività

CORRENTE di

corrente

TOTALE corgnati diffusione

Into Judit jndiff

qunmexqDmt jpta

jpdifttjpdiff qD.pl

p

qupE

DIODO GIUNZIONE

A pm

di

Realizzazione 1 di

fetta tipo

semiconduttore m Msp

atomi NAND

2 introdotti accettori concentrazione

con

vengono della fetta diventa

una p

regione

Analisi elettrostatica Regione

P n

nottata

NA nella p

regione me

perdtlacunque meno elettroni

mega

no atomica magione

Osservazioni di nella

1 lacune elevata

concentrazione

Zona molto bassa nella

e n

p regione

è

di nella

elevata concentrazione

2 concentrazione

bassa

n e

regione

nella regione p

GEME

annerite

LACUNE

Di sono

diffusione

FENOMENO

DIFFUSIONE dirette verso

devo avere

CONDIZIONE carronte

Di circLearo nulla

secondo

FENOMENO di

_processo

DERIVA

Di conduzione

lasciano atomi

nella

lacune n accettori

degli

regione p

p immobili carichi NEGATIVAMENTE

ELETTRONI M P lasciano donatori

nella atomi

n con

degli

regione

Positiva

carica

conseguenza

DI

REGIONE SPAZIALE

CARICA di

svuotata portatori

mobili

1

CAMPO E

ELETTRICO

di

corrente

deriva

NEL DIODO

CORRENTI Integmunetadntmo

ai

corrente _EQUILIBRIO

nulla piani

terminali Ipteapupe applpeo

di

Analisi elettrostatica svuotamento

nell'approssimazione completo

È

D ftp.ntNDNA di Gass

8

II la differenziale

ftp.nay.mg

ELEgjehaxidris.ee

tela di carica

Ex

al

Condizioni Xm

x

X

contorno x e

o xp

per

lato

EXO

Xp svuotata p

regione II

trascurabili

ne p dà

A

xp Neo

NEA costante

1 X

Xp 0

i lato

svuotata n

OCXL.IM regione trascurabili

mep

Na o I

Iad

Ext Edotto o Yp

È teorema di Gauss

go.fi gg É XML

I AND

ANA

Xp NEUTRALITÀ

CARICA

DELLA

gg fitta

No

NA

se Xm

Xp

4

ipotesi KOV Coll'equilibrio

conica

di

densità

O

NEI as.az

In

Efferenziole xp potenziale

barriera

di

di ai

di si

che

differenza capi

potenziale sviluppa

svuotata

J che il

ottenere

serve

ddp per

bilanciamento a OV

di

kbfenNI INA.IN

Tdi

D

Se la del

ai

cambiano ddp capi di

di

in

traduce

diodo variazione

si una

di

versi

due il

che cambiano

esistono meccanismo

polarizzazione

in

di la

nell'altro

deriva

conduzione la

coso

un Diffusione

e

prevale

ad

Epato se

Epa

varia d

varia emengifendimi

PN

POLARIZZAZIONE GIUNZIONE

la

vario ai della

dap capi giunzione api

VA

tensione

una

applicando

µ qua a

ga

ga

pe µ

VA

Per Varedo

OV

VANODO

convenzione e

Se VA

VA al catodo

modifico tensione

una

applico YÉ

Polarizzazione peers e VA

DIRETTA o

il

la Diffusione e

prevale

la

Aumenta del

di

barriera Attenuazione

di

Ept salto Epa

a

4 NÉ la

e prevale

TE

nella che

diffusione mette

regione in correnti

gioco

svuotata elevate

ci

MA sono pochi

mobili

portatori V

CARATTERISTICA I

Va tra

dap catodo

ANODO e

applicata

in Ì

condizioni I IS eVDlnVt 1

statiche Id

VA0,6 o

se idealità

di A1

fattore

mi

Kooky Versioni

termica

tensione

VERBI EBOOK

Is saturazione

di

corrente

inversa Valor Is

Io a

Modelli V

la statica

I

caratteristica

per A SOGLIA

MODELLO

NON LINEARE

ANALITICO

MODELLO A STADI

DUE IN

a

VDekBfenfies 10

Z'TRATTO TRATTO

IT

dalla della

traslazione curva

temperatura

Dipendenza sinistra

verso

V5 VINGOOKAKTIT 300k

POLARIZZAZIONE BREAKDOWN

INVERSA VBK diodo

Quando la il

raggiungo

si circuito

più come

non comporta

aperto DI

VBR TENSIONE BREAKDOWN

POLARIZZAZIONE DIODO NON LINEARE

MODELLO

ID dal modello

VIII a prescindere

utilizzo

che

Ests IV

Carati

D Gien

l'A sistema

Is nonlineare

no L

F 300K METOLERANO

25,8mV

VERBI

VD V

0,73 f

3A

9,2610

D due

A regimi

MODELLO SOGLIA

V8 dato

0,7 parametro

ID

EQ

MAGNA VII

DI

Ipotesi DIODO

Elaborazione del Segnale

LINEARE FISICA

EDEA

FISICHKSHI FISICHAKFIELA

LINEARI effetti

degli

sovrapposizione Suite

SitteAcoscuotto A'cosciotto

se SUI

CONVENZIONE SIMBOLI Teresina

TYMEENA

vattene IAHIATIAH Qatqalt

MACH

b

età

AMPLIFICATORI funzioni guadagno

Sich segnale periodico

SERIELÈR

Generica corrispondente dogma

esima

n

Un Unsenlunt Di tensione

H mite

W Vo

nsemfwmttq.my

m dB

IN

GUADAGNI

Arab AI Ap

20

logar dB colagAP

dberologa

differenziali

Amplificatori

in differenziali

uscita differenza

e elabora la

ingresso

segnali Vine utili

rt molto

sono

vff eliminare il

per

Voigt g rumore

E

A G differenziale

è più

non

DI TENSIONE

GUADAGNO lineare

se caratteristica_

di

trasferimento se

di in di Av

reattivi

effetti invertente

assenza non

TENSIONE

GUADAGNO ampli

guadagno

di reale

CARATTERISTICA TRASFERIMENTO pompe

NON INVERTENTE

jazz in

cavi

Quando a

il varia

varia punto

lineare

tratto

un

isaturazione VI

VIA Vitt

ri Mlt

µ Volevo vola

del

la rettilineo

tratto definisce

pendenza

il guadagno Ar dj a della netta

pendenza Q

nel punto

CARATTERISTICA INVERTENTE ho

Se di piccola

segnali

andare a

ampiezza posso

la

considerare caratteristica

di

lineare nell'interno

DI

PROCESSO LINEARIZZAZIONE versione

è una Vs

ai

attenuta

Risultato Avo

O funzione guadagno

Rs

da

che non dipende

Ri

e

lo

non in di

vedremo generatore da v

tensione comandato

dettaglio 0

Dimesso D'Uscita

La essere approssimata

può

un

a resistore per segnali Vi

di variarepoco

faccio

ampiezza

piccola

Vi Vs di

RAI Partitore Tensione

Rs

fa

Mi Ris

comodo viris

avere avere minore

un'attenuazione

per

Ri co

meglio limite

Rocchi Ro

Avori

Vo al o

grip pt

RIFF Av

A

E e

Ro

Ri o

co di

Operazionale

AMPLIFICATORE tipo differenziale

particolare amplificatore

I differenziale

Ma Operazionale Ampi

ampi

AMPI DIFFERENZIALE Vi

Vid Vit vodka

ftp.II

Idealmente differenziare

0

Vo

modo

inverte IDEALMENTE

guadagno

di tensione

µ ma ma ama ama

di

identici terminali

due

ai altri

e

ingresso

1 Di idealità

Non

Fattore modo

al

di reiezione comune

rapporto i

diff Reali ad

anche comuni

amplificati

Negli vengono

ampi segnali

entrambi gli ingressi Vit

DI

TENSIONE Vice

MODO COMUNE vite

Vit

Vid si Vico

iI

vice agg ad

realmente

MA tende

l'amplificatore amplificare

è il

Vic di

elevato tensione

anche più

e guadagno

sarà

via

per l'amplificatore

peggiore

Vitt

Vo Ad Acm

Vit Vi AdviatAcmvic

uscita amplificatore reali

Acm o recezione eliminazione

overo perfetta

perfetta

Vo YY di

AdfVidtAAm YIM Rapporto

AdfvidtYp AL

REIEZIONE

MODO COMUNE

il Lae

deve più

essere piccolo

possibile limite a

È dB valori

lag sono

tipici

CMRRapiro 120dB

GODBECMRRABE

AMPLIFICATORI OPERAZIONALI ad

differenziale

Amplificatore integrato

elevatissimo differenziale

guadagno

Vid Vid Vit Vi

di non

solito indicati

vengono

DI

CARATTERISTICA TRASFERIMENTO

tvn Nel ci

REALE

caso essere

può

una traslazione

Dettagli
Publisher
A.A. 2021-2022
22 pagine
1 download
SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher elemerelli di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Elettronica e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università degli Studi di Bologna o del prof Fiegna Claudio.