Esercizi transistor polarizzati
Punto di lavoro?
Dati: EC = 20 V EB = 10 V RC = 300 Ω RE = 200 Ω RB = 20 KΩ VBE = 0,7 V β = 100
Il BJT è sicuramente in zona attiva:
IB RB
IE = (β+1) IB (2) RE
Per trovare il punto di lavoro devo conoscere IB, IC e VCE.
Dalla prima maglia mi ricavo IC.
EB = RB IB + VBE, att + RE IE
IC = β IB e IE = (β+1) IB
Allora:
EB = RB IB + VBE, att + (β+1) RE IB
IB = ½ EB - VBE, att ⁄ RB+RE(β+1)
IB = 0,231 mA
IC = β IB = 23,1 mA
IE = 23,331 mA
Esercizi transistor polarizzati
Punto di lavoro?
Dati: EC = 20 V EB = 10 V RC = 300 Ω, RE = 200 Ω, RB = 20 kΩ, VBE = 0,7 V, β = 100
Il BJT è sicuramente in zona attiva:
IB RB RC EC
IC = βIB
IE = (β+1)IB
Per trovare il punto di lavoro devo conoscere IB, IC e IE.
Dalla prima maglia mi ricavo IC:
EB = RBIB + VBE + REIE
EB = RBIB + VBE + (β+1)REIB
IB = (EB - VBE)/(RB + RE(β+1)) = 0,231 mA
Inoltre: IC = βIB = 23,1 mA IE = 23,331 mA
Dalla II maglia mi ricavo VCE:
VCE = EC = RCIC + REIE + VCE => VCE = EC - RCIC - REIE = 8,6 V
Dati
Dati: EC = 12 V, VBE, att = 0,7 V RC = 200 Ω, RB = 50 KΩ, β = 100
EC = RBIB + VBE, att = I TAGLIA
EC = RCIC + VCE = I TAGLIA
12 = 500 IC + 0,7 => IC = 0,0226 A = 22,6 mA
12 = 200 IC + VCE => VCE = (12 - 4,52) V = 7,48 V
Thevenin
Dati: VBE, att = 0,7 V, β = 100 R1 = 30 kΩ, R2 = 50 kΩ, RC = 250 Ω
Thevenin
Tensione di vuoto:
Vth = R2EC/(R1+R2) = 7,5 V
Resistenza equivalente:
Rth = (R2R1)/(R1+R2) = 18,75 kΩ
Il circuito diviene:
Vth = RthIB + VBE, att
EC = RCIC + VCE
IC = 36,2 mA
VCE = 2,5 V
Dati
Dati: EC = 25 V, VBE,att = 0,7 V, β = 90 R1 = R2 = 100 kΩ, RC = 300 Ω
Stesso direttore della esercizio
Vth = R2/(R1+R2) EC = 12,5 V Rth = R2R1/(R1+R2) = 50 kΩ
∑RE IE = IB(β+1) = IC(β+1)/β
I) Vth = RthIB + VBE,att + RE IE
II) EC = RC IC + VCE + RE IE
IC = 7,98 mA
VCE = 19,55 V
P = EC IC = 25 V × 7,98 mA = 199,5 mW
Saturazione e interruzione
Dati: VCC = 12 V β = 100 RB = 10 kΩ RC = 1 kΩ
Supponiamo il transistor in saturazione:
VBE = 0,7 V
VCEsat = 0,2 V
I MAGLIA
Vin = 6 V
II MAGLIA
6 = 104IB + 0,7
0,2 = 103IC + 12
IB = 0,53 mA
βIB > IC
IC = 14,8 mA
53 mA > 14,8 mA
Effetti limitati sopra in zona di saturazione:
Vin = 0 V
IB = 0 V
VBE = 0 V
VCE = VCC → interruzione
Vi min = 0 V
Vi max = 5 V
Dati
Dati: VB = +5 V VCC = 5 V R1 = 6,8 KΩ R2 = 22 KΩ RC = 0,47 KΩ β = 350
Per la maglia in ingresso applico Thevenin:
i = (Vi + VB)/(R1 + R2)
VBEq = Vi - Ri i => Vi = R1/(R1 + R2) (Vi + VB)
REQ = R1 || R2 = (R1 R2)/(R1 + R2) = 0,19 KΩ
Se Vi = 5 V => VBEq = 2,64 V Transistor in saturazione
I MAGLIA) 261: = RB IB + VBE
II MAGLIA) VCC = RC IC + VCE
IB = 1,89 V = 0,037 mA
5,18 KΩ
IC = (5-0,2) V = 20,21 mA
0,247 KΩ
IB B > IC -> 18,5 mA > 20,21 mA
Falso, effettivamente in zona di saturazione
Se VC = 0 V -> VCE = -5,6,8 1,18 mA > 0
Di conseguenza VBE < 0 -> IB = 0 -> IC = 0 INTERDIZIONE
Verifica zona attiva e saturazione
Dati: VCC = 9 V, VBB = 5 V, β = 100 RB = 70 KΩ, RC 2,7 KΩ
Verificare se il BST è in zona attiva e in saturazione
Verificare cosa succede se pongo RC = 1 KΩ
Supponiamo il BST in zona attiva
VBB = RB IB + VBE att -> [5 = 70 ⋅ 10-3 IB +0,7 -> IB = 0,06 mA]
VCC = RC IC + VCE
9 = 2,7 ⋅10 IB + VCE
[VCE = 7,2 V]
Poiché VCE ≤ VCE,sat non sono in zona ATTIVA
Supponiamo il BJT in saturazione:
IB = 0,06 mA
VCE = RC IC + VCE,sat
β IB > IC → 6 mA > 3,26 mA Sì
Il BJT è in saturazione
Se RC = 1 kΩ
Supponiamo il BJT in zona ATTIVA
IB = 0,06 mA
VCE = RC IC + VBE
⇒ VEE = 3 V > VCE,sat ⇒ Il BJT è in zona ATTIVA
Configurazione BJT PNP
Questa è la configurazione di un BJT PNP.
Dati: VEE = 0,5 V, β = 100, RB = 50 KΩ, RC = 2,2 KΩ
Se VBB = 5 V
Supponiamo il BJT in zona attiva
VBB + RB IB = VBbe(att) = VEE → RBIB = -VBE(att)
VEE - VEC - ICRC = 0
VEB = VBE
VEC = VCE
Nella sola (arrow) VBE = 0
IC = 0
VO = 0
Poichè il BJT è interdetto
Se VBB = 0 V
Supponiamo il BJT in autooscillazione:
RBIB - VBE = VEE → IBRB = VBE + VEE
VEE = RCIC - VE
IB = 0,116 mA
IC = 2,36 mA
IB β ≯ IC → BJT in saturazione
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