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Esercizi transistor polarizzati

Punto di lavoro?

Dati: EC = 20 V   EB = 10 V RC = 300 Ω   RE = 200 Ω   RB = 20 KΩ VBE = 0,7 V   β = 100

Il BJT è sicuramente in zona attiva:

IB RB

IE = (β+1) IB (2) RE

Per trovare il punto di lavoro devo conoscere IB, IC e VCE.

Dalla prima maglia mi ricavo IC.

EB = RB IB + VBE, att + RE IE

IC = β IB   e   IE = (β+1) IB

Allora:

EB = RB IB + VBE, att + (β+1) RE IB

IB = ½ EB - VBE, att ⁄ RB+RE(β+1)

IB = 0,231 mA

IC = β IB = 23,1 mA

IE = 23,331 mA

Esercizi transistor polarizzati

Punto di lavoro?

Dati: EC = 20 V    EB = 10 V RC = 300 Ω,    RE = 200 Ω,    RB = 20 kΩ,    VBE = 0,7 V,    β = 100

Il BJT è sicuramente in zona attiva:

IB    RB    RC    EC

IC = βIB

IE = (β+1)IB

Per trovare il punto di lavoro devo conoscere IB, IC e IE.

Dalla prima maglia mi ricavo IC:

EB = RBIB + VBE + REIE

EB = RBIB + VBE + (β+1)REIB

IB = (EB - VBE)/(RB + RE(β+1)) = 0,231 mA

Inoltre: IC = βIB = 23,1 mA    IE = 23,331 mA

Dalla II maglia mi ricavo VCE:

VCE = EC = RCIC + REIE + VCE => VCE = EC - RCIC - REIE = 8,6 V

Dati

Dati: EC = 12 V, VBE, att = 0,7 V RC = 200 Ω, RB = 50 KΩ, β = 100

EC = RBIB + VBE, att = I TAGLIA

EC = RCIC + VCE = I TAGLIA

12 = 500 IC + 0,7    =>    IC = 0,0226 A = 22,6 mA

12 = 200 IC + VCE    =>    VCE = (12 - 4,52) V = 7,48 V

Thevenin

Dati: VBE, att = 0,7 V, β = 100 R1 = 30 kΩ, R2 = 50 kΩ, RC = 250 Ω

Thevenin

Tensione di vuoto:

Vth = R2EC/(R1+R2) = 7,5 V

Resistenza equivalente:

Rth = (R2R1)/(R1+R2) = 18,75 kΩ

Il circuito diviene:

Vth = RthIB + VBE, att

EC = RCIC + VCE

IC = 36,2 mA

VCE = 2,5 V

Dati

Dati: EC = 25 V, VBE,att = 0,7 V, β = 90 R1 = R2 = 100 kΩ, RC = 300 Ω

Stesso direttore della esercizio

Vth = R2/(R1+R2) EC = 12,5 V   Rth = R2R1/(R1+R2) = 50 kΩ

∑RE IE = IB(β+1) = IC(β+1)/β

I) Vth = RthIB + VBE,att + RE IE

II) EC = RC IC + VCE + RE IE

IC = 7,98 mA

VCE = 19,55 V

P = EC IC = 25 V × 7,98 mA = 199,5 mW

Saturazione e interruzione

Dati: VCC = 12 V β = 100 RB = 10 kΩ RC = 1 kΩ

Supponiamo il transistor in saturazione:

VBE = 0,7 V

VCEsat = 0,2 V

I MAGLIA

Vin = 6 V

II MAGLIA

6 = 104IB + 0,7

0,2 = 103IC + 12

IB = 0,53 mA

βIB > IC

IC = 14,8 mA

53 mA > 14,8 mA

Effetti limitati sopra in zona di saturazione:

Vin = 0 V

IB = 0 V

VBE = 0 V

VCE = VCCinterruzione

Vi min = 0 V

Vi max = 5 V

Dati

Dati: VB = +5 V VCC = 5 V R1 = 6,8 KΩ R2 = 22 KΩ RC = 0,47 KΩ β = 350

Per la maglia in ingresso applico Thevenin:

i = (Vi + VB)/(R1 + R2)

VBEq = Vi - Ri i => Vi = R1/(R1 + R2) (Vi + VB)

REQ = R1 || R2 = (R1 R2)/(R1 + R2) = 0,19 KΩ

Se Vi = 5 V => VBEq = 2,64 V Transistor in saturazione

I MAGLIA) 261: = RB IB + VBE

II MAGLIA) VCC = RC IC + VCE

IB = 1,89 V = 0,037 mA

5,18 KΩ

IC = (5-0,2) V = 20,21 mA

0,247 KΩ

IB B > IC -> 18,5 mA > 20,21 mA

Falso, effettivamente in zona di saturazione

Se VC = 0 V -> VCE = -5,6,8 1,18 mA > 0

Di conseguenza VBE < 0 -> IB = 0 -> IC = 0 INTERDIZIONE

Verifica zona attiva e saturazione

Dati: VCC = 9 V, VBB = 5 V, β = 100 RB = 70 KΩ, RC 2,7 KΩ

Verificare se il BST è in zona attiva e in saturazione

Verificare cosa succede se pongo RC = 1 KΩ

Supponiamo il BST in zona attiva

VBB = RB IB + VBE att -> [5 = 70 ⋅ 10-3 IB +0,7 -> IB = 0,06 mA]

VCC = RC IC + VCE

9 = 2,7 ⋅10 IB + VCE

[VCE = 7,2 V]

Poiché VCE ≤ VCE,sat non sono in zona ATTIVA

Supponiamo il BJT in saturazione:

IB = 0,06 mA

VCE = RC IC + VCE,sat

β IB > IC → 6 mA > 3,26 mA Sì

Il BJT è in saturazione

Se RC = 1 kΩ

Supponiamo il BJT in zona ATTIVA

IB = 0,06 mA

VCE = RC IC + VBE

⇒ VEE = 3 V > VCE,sat ⇒ Il BJT è in zona ATTIVA

Configurazione BJT PNP

Questa è la configurazione di un BJT PNP.

Dati: VEE = 0,5 V, β = 100, RB = 50 KΩ, RC = 2,2 KΩ

Se VBB = 5 V

Supponiamo il BJT in zona attiva

VBB + RB IB = VBbe(att) = VEE → RBIB = -VBE(att)

VEE - VEC - ICRC = 0

VEB = VBE

VEC = VCE

Nella sola (arrow) VBE = 0

IC = 0

VO = 0

Poichè il BJT è interdetto

Se VBB = 0 V

Supponiamo il BJT in autooscillazione:

RBIB - VBE = VEE → IBRB = VBE + VEE

VEE = RCIC - VE

IB = 0,116 mA

IC = 2,36 mA

IB β ≯ IC → BJT in saturazione

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