Riassunto Elettronica Generale

Elettronica generale 1: semiconduttori

Semiconduttori • semiconduttore conduttori. Il materiali questi silicio isolanti è comportano che più come si sia comune come. Delle la continuità leghe semiconduttori può certa variata essere. I composizione sono una cui con. Lavorato usato certo deve modo silicio si' tecnica. Il il dobbiamo drogaggio in per essere eseguire essere in, ovvero una cioè cui un materiale prende periodica della rispetto silicio nel al reticolo cristallino quantità della tavola.

OI in si minore aggiunge ☒ colonna e un. La della tavola materiali II hanno colonna della I periodica metà semiconduttori quali corteccia più esterna riempita ai sono, di elementi elettroni acquistare nel questi liberare è dei questa. Ciò semiconduttori preferenze caratteristica avere principale permette non o a. Negativi.

Drogaggio del silicio

Se droghi della materiali I il colonna di, questi cioè silicio elementi poiché fosforo il hanno amo elettrone con tipo in come con un, di allora elettroni ed il silicio conduttore al rispetto comporta silicio più genera si eccesso come un. POI hanno tipo di poiché il P elementi. Se materiali questi silicio della boro colonna il invece II, cioè come con amo con, materiali allora al buchi rispetto dei silicio elettrone reticolo lasciano visti del nel silicio questi in come meno sono, portatori di taccone dette comporta e isolante positive silicio ed il cariche si come un.

P quindi tipo drogante destra ed di sinistra la congiunzione tipo. Il banale inserisce: si cui in a caso p p ne uno n a un - svuotamento di zona più. Poiché hanno abbiamo sinistra dei mentre di abbiamo portatori due elettroni diversa questi più concentrazione destra infatti a materiali carica, a di tendono allora lacune elettroni da liberi gli che squilibrio cui si sinistra migrare fino crea carica verso in verso sino a p non, tale. Da svuotamento nella centrale detta di elettrico equilibrio spaziale di migrazione regione carica raggiunge regione crea si zona campo o un un.

Diodo

Anodo catodo. È dall'anodo si corrente la detto il bipolo dove sulle estremità diodo d. Elettrico d. Questo dispositivo è A, perciò scorre verso una con crea un p. H p catodo catodo ed dell' di negativa anodo collegando generatore il KI quella diodo generatore al. Se positiva da parte tensione alla applichiamo, ovvero verso n p un, elettroni potenziale barriera liberi allora potenziale il in di abbatte di gli la si risarcire sono ovvero n.

Del drogante il che causata stretta tipo drogante di potenziale il la di dalla drogante ed tra è brusca v. Variazione la zona barriera B crea compresa n una p. Alle di liberamente tra questa transizione p ed n di barriera elettroni facilmente le muoversi cariche che impedisce gli regioni zona riescono superare a non. E ✓ Q potenziale campo carica elettrico t barriera di potenziale. Voi nvt modello il della Iol corrente Id semplificato 'diodo del Id del quando dove 1) diodo del Vde nullo nullo diodo corrente e - è) sarà tensione (= -.

La Id del lineare della finale materiale parte resistività poiché alla incontro è si curva va. Ward for il diodo della nel rappresenta corrente la tensione Id Vd varia variare al grafico come. Ward bias for bias reverse -- costanti termica I Vt ed corrente valori saturazione di tensione Io sono inversa. μ, rappresenta della a d corrente la aumentare tensione velocemente il. Il inizia valore cui Vd valore per qzv =. Reverse di dipende dalla il coefficiente breakdown funzionamento! Zona n.

Portatori di carica ed effetto tunnel

Nei semiconduttori elettroni di da trasportata la abbondanti lacune drogante portatori tipo di lacune è le il carica I e carica n meno e per ovvero. Portatori minoritari detti gli elettroni drogante il tipo sono p per. L'effetto tunnel dovrebbe tensione verifica elevato certa poi quando che è elettrico elettrone tunnel è in il da si fenomeno una non campo un: la lo quantistico barriera la riuscire stesso motivo qualche a passare supera ma per.

Diodi altri possiamo di tipi avere come: L'elettrone di LED diodo barriera alta particolari di potenziale elementi - più fatto oltrepassando un'emissione tale barriera: genera una e con, lunghezza d'onda proporzionale inversamente visibile d. Dalla d'onda è lunghezza dove la p. Schottky metallo quando perciò diodo metallo conduttore la cui sostituisce hanno poiché parte questo lacune in è il si: in si p caso non con un un. Diodo si deve cariche diodo il immediatamente allo normale spegne le togliere poiché questo adspargimento reagisce si rispetto quasi non un, immagazzinate ha tensione gli. Inoltre bassa condurre -0,34 inizia più QZV una a verso.

Circuiti con diodo

Es di circuito diodo un: diodo delle dei il la facendo circuito circuiti sul teoria semplici assunzioni risolvere per si ☐ 1 usa: V1 Ra è la se polarizzato corrente •• allora nulla inversamente è V 10 ☐ = • è ✓ diodo se linearmente si polarizzato 0,7 V allora sul assume = il del diodo corrente collegato la al dice da di v. Polarizzato il impedire corrente opposto modo inversamente è bias B. È verso in se reverse passaggio ovvero un, la potenziale il di la incrementando diodo di diodo svuotamento aumenta barriera il potenziale dovrebbe. Infatti applicato al cui attraversare zona si verso con, impedendo alla di corrente abbattersi cariche!

Ad incrementa in questo il breakdown elettrico riescono le fino passare e a scorrere caso non campo. Linearmente modo dice diodo un il polarizzato ward da della corrente collegato correttamente attraversa corrente bias il lasciar è si verso in se for ovvero passare diodo dall' potenziale catodo cancellando anodo. Infatti al di barriera elettroni da svuotamento di la la lacune le neutralizzano da gli zona e n p. Accumula minoritari la fluiscono cioè elettroni gli. Perciò si portatori carica in P come.

BJT: Bipolar junction transistor

2) BJT • Bipolar junction transistor: la di che corrente controllare circuito dispositivo. Il permette transistor elettronico è un un. BJT è il stato bipolare transistor di dispositivo primo interruttore che grado solido amplificatore stato in sia funzionare a come come. È elettrico dispositivo tre detti terminali tipi due di BJT (B) collettore ed emettitore può il (C) un base a essere: l' dalla ed base tensione tra emettitore controllata dalla ed è corrente emettitore collettore n scorre P • verso n: -- dalla tensione dall' tra la ed collettore controllata emettitore è al corrente base emettitore p e n • scorre p: - -.

E C B n p n. Consideriamo dispositivo il primo in p n: - - la sarà caratteristica notiamo che di base corta importante è B più una regione. N.B.: dispositivo possiamo rappresentare modo del questo terminali i 3 in n: p n -- ÷ sulle.

Accorgimenti sulle tensioni

• La base collettore la tensione base è Ubc positiva quando rispetto positivo collettore è - -.
• All' la la positiva base emettitore tensione L VBEI quando emettitore base rispetto è positiva è - -.
• Is B VCE. La all' tensione emettitore collettore è il quando rispetto VCE collettore positivo positiva emettitore è - -.

Accorgimenti sulle correnti

• La corrente positiva di entrante IB base è.
• La entrante corrente collettore di positiva è Ic.
• EVBE di corrente la emettitore uscente LIEI è positiva.

IE interne dalla III. Delle correnti al transistor teoria che abbiamo Ie Ib Ic equazione +=. Si identificano del transistor lavoro di regioni 4.

Cut off

Cut off • ed la dal off identificata che la è dispositivo fatto è il giunzione spento è la la BC BE giunzione inversamente regione polarizzate giunzione in cui - e sono: vale tensione di la la sotto la spente che trova entrambe funzione collettore circa base BE soglia siano BE si BC ovvero emettitore giunzione e base, - VBE L Vth VBCCO Col Vtn che in V dettaglio significa negativa silicio tensione dispositivi BC giunzione ha la i una 0,7 aper e =. In ed conduzione queste IB condizioni = DIo c'è -0 avremo non.

L'anche corrente corrente poiché collettore nella piccola emettitore il scorrerà giunzione base tra in una scorre e una se non, Io corrente polarizzata inversamente scorre una.

Attiva diretta

Attiva diretta • inversamente questa la che abbiamo polarizzata BE regione linearmente la giunzione giunzione BE la in mentre giunzione Bc è supera polarizzata -: la è tensione Vendi polarizzata mentre inversamente poiché VBCCO VBE BC poiché giunzione polarizzata la è linearmente soglia negativa cioè > è cioè. IB hfe tped Io. In particolare queste 0 condizioni ciò dovrebbe > poiché anche Ic indica avremo situazione scorrere se non una per =, dall' la questo di corrente troviamo corrente E Ic alcuni valore perché in emettitore elettroni lunghezza accade nullo essendo emessi non un.

Base di di la ricombinarsi più BC della raggiungere giunzione corta base in B prima riescono regione a. Facendo tale: perciò elettroni elettroni gli accade ricombinano rapporto situazione che alcuni tra il base si però tutti non passano per in, hfe guadagno il del ricombinano collettore indica quelli nel la che transistor rapporto ottiene che corrente tra si e Ipo Ic si con. Essendo hfe valore transistor dice amplifica che il positivo allora si un.

Saturazione

Saturazione • linearmente Vth Vth la in questa la VBC ed BE VBC giunzione polarizzate giunzione abbiamo regione > e > sono: BE. VCE VCE la di VCEL VCE elettroni VCES valore tensione è bassa V certo più gli dove considera e sono 0,2 allora cioè si in un genere non sai satsai - -- tendono Ic hfe tbd dal VBE che collettore base quindi poiché richiudersi. Si attratti Ven i Isso nella ottiene più > ma a e.

Questa quindi abbiamo da di che valore è da le caratterizzata Uce. Perciò indipendentemente basso si verificano regione Irs un se, |. VCEC VCE Ven la VBE Ic hfe tb che condizioni ed allora è tensione Vce conseguenza di uscita > costante con Satsat -.

Attiva inversa

Attiva VBC Vth inversa VBE CVEH • ed inversamente linearmente abbiamo la questa polarizzata giunzione la mentre giunzione > BE Bce regione in polarizzata - è: VBC Vth Q che implica quadrante tensione la poiché transistor del rappresentata III > nel trova quasi vasta nel grafico si mai regione non, che ad IBI eri è uguale di corrente ciò 1 regione alla il guadagno questa analogo comportamento significa ha in minore si regione uno: hfe.

Attiva dall' emettitore di al diretta guadagno collettore considerata peggiore questa la viene corrente perciò regione ma scorre poco con un. Transistor del nel queste rappresentiamo regioni grafico: Ic la quella Attiva di sta N.pe che Diretta la la sta sotto Irs è la cut 0 saturazione zona off zona sopra curva = -. IBE IB Ibz Attiva Diretta > +, (" " "- "" " "" "" " """" "ÉÉÌÉÌIÉ "± "" °° "°" e " " °" "° " "°" "" "" "" "" °" ° "" s°" "" attiva inversa si nel zona rappresenta quadrante sta spesso III IB non. Offut N.pe Vtn il V soglia silicio di la - tensione 0,7 per =.

Struttura fisica del transistor BJT

Vee KEI 3. La del struttura fisica BJT transistor di tipo è n p n: -- E Bht ha da sottile elettroni ed n t piccolo ricombinare fare emettitore base circondato si gli una p un non per, p collettore abbiamo drogato infine n un. n dall' la fortemente facilitati emettitore elettroni ad attraversare gli struttura è asimmetrica sono emessi: p t la di il contrario è base solo collettore alcuni nel regione ricombinano base a cascare si e vero in ma non. C E C B pnp.

Allo costruire modo transistor stesso il possiamo n p p: - - [E le questo E è ad transistor VEB complementare assunte cambiano ma h-p. In convenzioni, la tensione la corrente e per per. • l' quelle considerate particolare queste opposte convenzioni in s