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I transistor ad effetto di campo a giunzione sono dispositivi che hanno la struttura realizzata a canale n o a canale p.
I JFET a canale n sono costituiti da una barretta di semiconduttore di tipo n, con due regioni fortemente drogate di tipo p, collegate tra loro ed alla metallizzazione del terminale di gate.
Il segno + riportato come apice di p indica che le regioni di gate sono fortemente drogate.

Alle estremità della barretta sono disposte le metallizzazioni che costituiscono i terminali di Source (S) e di Drain (D); dal terminale di source partono le cariche che sono raccolte dal terminale drain, da cui le denominazioni di source.
Si hanno nel dispositivo due giunzioni pn e in corrispondenza di ognuna di esse si forma una regione di svuotamento.
Questa regione si trova sia nel semiconduttore di tipo p che nel semiconduttore di tipo n; in pratica, essendo il semiconduttore di tipo p fortemente drogato, la regione di svuotamento si sviluppa solo per una piccola estensione in esso.
La regione della barretta, che può essere interessata al flusso di elettroni tra source e drain, è quindi quella che si trova tra le due regioni di svuotamento ed è detta canale.
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