Concetti Chiave
- Il drogaggio dei semiconduttori migliora la conducibilità inserendo atomi pentavalenti o trivalenti nei cristalli di silicio o germanio.
- Un semiconduttore drogato di tipo n ha elettroni liberi come portatori maggioritari, grazie all'aggiunta di atomi pentavalenti come fosforo o arsenco.
- Nel tipo p, atomi trivalenti come boro o gallio creano lacune come portatori maggioritari, rendendo gli elettroni portatori minoritari.
- La giunzione pn si forma combinando un semiconduttore di tipo n e uno di tipo p, creando una zona di svuotamento tra i due.
- La polarizzazione diretta e inversa influenzano il movimento di elettroni e lacune nelle giunzioni pn, determinando la direzione della corrente.
Se si introducono atomi pentavalenti (o donatori), il semiconduttore si dice drogato di tipo n.
In un semiconduttore drogato n, la conducibilità è dovuta al fatto che gli elettroni liberi sono i portatori maggioritari e le lacune sono i portatori minoritari (ad esempio fosforo (P)arsenco(As)).
Se si introducono atomi trivalenti (o accettori) diventa drogato di tipo p, ovvero le lacune sono portatori maggioritari e gli elettroni i portatori minoritari (ad esempio boro (B) gallio (Ga)).
La polarizzazione diretta avviene quando il morsetto positivo della batteria è nella zona p; gli elettroni vanno verso il morsetto positivo e quindi lasciano nella parte n delle lacune questo provoca che dalla parte p lo spostamenti di lacune per saldarne altre.
La polarizzazione inversa invece avviene quando il morsetto positivo della batteria si trova nella zona n; gli elettroni della zona p si spostano verso il morsetto nella zona n, lasciando a loro volta delle lacune che verranno saldate da facendole spostare dalla zona n.
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