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Atreyu

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DESCRIZIONE DISPENSA

In questo materiale didattico relativo al transistor di potenza vengono trattati i seguenti argomenti. BJT. Power MOSFET (IGFET). DMOS (double diffusion MOSFET). V-MOS. Componenti della Ron. Accensione involontaria del MOSFET a causa di elevati dV/dt sul Drain. Safe operating area (SOA). Progettazione dei MOSFET di potenza. Semiconduttori per MOSFET di potenza. Dissipazione del calore nei dispositivi microelettronici. Confronto tra BJT e MOSFET di potenza. IGBT (insulated gate bipolar transistor).


DETTAGLI
Corso di laurea: Corso di laurea magistrale in ingegneria elettronica
SSD:
A.A.: 2011-2012

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher Atreyu di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Dispositivi elettronici a semiconduttore e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Mediterranea - Unirc o del prof Della Corte Francesco Giuseppe.

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