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Tensione di soglia Vt

In questo materiale didattico relativo alla determinazione della tensione di soglia Vt vengono trattati i seguenti argomenti. Effetti della carica nell'ossido e all'interfaccia. Determinazione della lunghezza di Deby. Caratteristica corrente-tensione del MOSFET (o IGFET). Debole polarizzazione di Drain.... Vedi di più

Esame di Dispositivi elettronici a semiconduttore docente Prof. F. Della Corte

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Atreyu

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In questo materiale didattico relativo alla determinazione della tensione di soglia Vt vengono trattati i seguenti argomenti. Effetti della carica nell'ossido e all'interfaccia. Determinazione della lunghezza di Deby. Caratteristica corrente-tensione del MOSFET (o IGFET). Debole polarizzazione di Drain. Media polarizzazione di Drain. Elevate polarizzazioni di Drain e pinch-off. Considerazioni del secondo ordine sul MOSFET. Silicio (cristallino) su isolanti. Modello SPICE del MOSFET Level 1. MESFET (Metal Semiconductor FET). HEMT (High Electron Mobility Transistor). Two Dimensional Electron Gas (2DEG).


DETTAGLI
Corso di laurea: Corso di laurea magistrale in ingegneria elettronica
SSD:
A.A.: 2011-2012

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher Atreyu di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Dispositivi elettronici a semiconduttore e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Mediterranea - Unirc o del prof Della Corte Francesco Giuseppe.

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