I MOSFET sono dispositivi molto diffusi, in quanto costituiscono componenti essenziali degli integrati a larga scala di integrazione, come le memorie e i microprocessori.
La struttura dei MOSFET è molto complessa.
Sono costituiti da un semiconduttore di tipo p, detta substrato o corpo, con due regioni fortemente drogate; sono dette una Source e l'altra Drain, ed i terminali che fanno capo alle metalizzazioni di source e drain sono indicati rispettivamente con S e D.
Lo spazio tra le regioni di source e drain è detto canale. Spesso un terminale del dispositivo è connesso al substrato; esso è indicato con la lettera B, dall'iniziale di Body.
Quando il MOSFET conduce, si ha un flusso di cariche attraverso il canale, dal source al drain.
La regione del canale è ricoperta da un sottile strato di ossido di ottime proprietà isolanti, come il biossido di silicio; esso è, a sua volta, ricorperto da una metallizzazione, a cui fa capo il terminale di Gate (G).

Lo strato isolante fà si che la corrente di gate, tra gate e substrato, sia estremamente bassa, dell'ordine di millesimi di picoampere; l'assorbimento di corrente, nei confronti del circuito a monte del MOSFET, è pertanto trascurabile, per cui si può ritenere che il MOSFET praticamente non carichi il circuito che lo alimenta.
La denominazione del MOS deriva dal fatto che, se dall'esterno del dispositivo si procede verso l'interno, in corrispondenza del Gate, si trova prima la metallizzazione di gate, poi lo strato isolante di ossido di silicio ed infine il semiconduttore che costituisce il substrato.

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