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Transistor BJT

Il BJT (Bipolar Junction Transistor, ovvero transistore a giunzione bipolare) è attualmente prodotto sia in forma discreta che in forma integrata. Utilizzando come materiale semiconduttore quasi esclusivamente il silicio. Anche se le tecnologie costrittive sono molteplici e le tipologie applicative diverse la struttura di principio e fondamentalmente sempre la stessa.
Il BJT è costituito da tre regioni adiacenti di semiconduttore drogate alternativamente n e p. Sono possibili due ti di BJT: npn e pnp. La regione intermedia (base), poco drogata e molto sottile, forma con le altre (emettitore e collettore) rispettivamente la giunzione base-emettitore Je e la giunzione base-collettore Jc.
La giunzione Je costituisce la giunzione di controllo e in funzionamento lineare viene polarizzata direttamente;
la giunzione Jc invece viene polarizzata inversamente.

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